[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

外延基片，所述外延基片包括势垒层，所述势垒层上表面设有源电极、漏电极和栅电极；

复合钝化层，包括第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层位于所述第一钝化层的上层，所述复合钝化层设置于所述源电极和所述漏电极之间，所述栅电极设置于所述复合钝化层，所述第一钝化层含有负离子，在所述栅电极和所述漏电极之间的所述第一钝化层设置有至少一个开孔，以形成负离子孤岛阵列。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述负离子为氯离子或者氟离子。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述势垒层种类为铝镓氮或者铝铟氮。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一钝化层为氮化硅钝化层、氧化铝钝化层和氧化硅钝化层中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二钝化层为氮化硅钝化层、氧化铝钝化层和氧化硅钝化层中的任意一种。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为60nm至200nm。

7.根据权利要求1至5任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述开孔的深度为60nm至200nm。

8.根据权利要求1至5任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第二钝化层的厚度为100nm至200nm。

9.根据权利要求1至5任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述外延基片自下而上还包括衬底、成核层、缓冲层和沟道层，所述势垒层位于所述沟道层的上层。

10.一种电子设备，其特征在于，包括有如权利要求1至9任意一项所述的半导体器件。

11.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：

在外延基片的势垒层上制作源电极和漏电极；

在所述势垒层上生长第一钝化层，其中，所述第一钝化层含有负离子；

在所述第一钝化层刻蚀开孔，形成负离子孤岛阵列；

在所述第一钝化层上生长第二钝化层，形成复合钝化层；

在所述源电极和所述开孔之间的所述复合钝化层制作栅电极。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述在外延基片的势垒层上制作源电极和漏电极，包括：

在所述势垒层上涂抹光刻胶并光刻出源电极区域和漏电极区域；

采用磁控溅射或电子束蒸发工艺，在所述源电极区域和所述漏电极区域淀积欧姆金属，并采用快速热退火工艺进行退火处理，形成欧姆接触。

13.根据权利要求11或12所述的制作方法，其特征在于，所述在所述势垒层上生长第一钝化层，其中，所述第一钝化层含有负离子，包括：

在所述势垒层上利用超声波喷雾热解沉积含有所述负离子的所述第一钝化层。

14.根据权利要求11或12所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层刻蚀开孔，形成负离子孤岛阵列，包括：

采用电子束光刻在所述第一钝化层上图形化曝光；

利用电感耦合等离子体工艺对所述第一钝化层进行选区刻蚀，形成负离子钝化孤岛阵列。

15.根据权利要求11或12所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层上生长第二钝化层，形成复合钝化层，包括：

在所述第一钝化层上采用等离子体增强化学气相淀积或者等离子增强原子层沉积工艺淀积所述第二钝化层，形成所述复合钝化层。