[发明专利]大板级扇出基板倒装芯片封装结构的制备方法

权利要求书

1.一种大板级扇出基板倒装芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、提供载板，在所述载板的一侧制作第一重布线层；

S20、在所述第一重布线层上制作传输层，并在所述传输层上制作与所述第一重布线层电性连接的第二重布线层；

S30、提供ASIC芯片和滤波元件，将所述ASIC芯片和所述滤波元件倒装于所述第二重布线层上并进行塑封，形成塑封层；

S40、对所述塑封层进行开孔处理，形成位于所述ASIC芯片和所述滤波元件之间的第一盲孔以及位于所述滤波元件远离所述ASIC芯片一侧的第二盲孔，并使所述第一盲孔、所述第二盲孔延伸至所述第二重布线层；以及对所述塑封层和所述传输层进行开孔处理，形成声孔；

S50、在所述第一盲孔内制作第一导电柱，在所述第二盲孔内制作第二导电柱，在所述塑封层的表面制作通过所述第一导电柱和所述第二导电柱与所述第二重布线层电性连接的第三重布线层；

S60、拆除载板，并提供传感器芯片，将所述传感器芯片的I/O接口朝下并通过焊接的方式与所述第一重布线层电性连接，并使所述传感器芯片正对所述声孔。

2.根据权利要求1所述的大板级扇出基板倒装芯片封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S30具体包括：

S30a、提供ASIC芯片和滤波元件，将所述ASIC芯片和所述滤波元件的I/O接口涂上金属膏体，然后倒装于所述第二重布线层上；

S30b、采用激光由载板远离所述第二重布线层的一侧进行烧结，使所述ASIC芯片和所述滤波元件固定于所述第二重布线层上；

S30c、采用塑封材料对所述ASIC芯片和所述滤波元件进行塑封，形成塑封层。

3.根据权利要求2所述的大板级扇出基板倒装芯片封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S20具体包括：

S20a、提供介电层，将所述介电层贴附于所述第一重布线层上；

S20b、对所述介电层进行激光钻孔，使所述介电层沿其厚度方向形成过孔，以供所述第一重布线层外露；

S20c、通过真空溅射在所述介电层和所述过孔内形成第二种子层，所述介电层和所述第二种子层组成所述传输层；

S20d、提供第二感光干膜，将所述第二感光干膜贴附于所述传输层上；

S20e、通过曝光、显影处理，在所述第二感光干膜上形成通孔和使所述传输层外露于所述第二感光干膜的通孔的第二图形化孔；

S20f、进行电镀处理，在所述过孔内形成与所述第一重布线层电性连接的第三导电柱，在所述介电层上形成与所述第三导电柱电性连接的第二重布线层；

S20g、去除残留的所述第二感光干膜；

S20h、提供蚀刻液，采用所述蚀刻液对所述第二感光干膜被去除后外露的第二种子层进行蚀刻处理，以去除所述第二种子层。

4.根据权利要求3所述的大板级扇出基板倒装芯片封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S50具体包括：

S50a、通过真空溅射在所述塑封层的表面、所述第一盲孔以及所述第二盲孔的孔壁制作形成第三种子层；

S50b、提供第三感光干膜，将所述第三感光干膜贴附于所述第三种子层上；

S50c、通过曝光、显影处理，在所述第三感光干膜上形成通孔和使所述塑封层外露于所述第三感光干膜的通孔的第三图形化孔；

S50d、进行电镀处理，在所述第一盲孔内形成与所述第二重布线层电性连接的第一导电柱，在所述第二盲孔内形成与所述第二重布线层电性连接的第二导电柱，在所述塑封层上形成分别与所述第一导电柱和所述第二导电柱电性连接的第三重布线层；

S50e、去除残留的所述第三感光干膜；

S50f、提供蚀刻液，采用所述蚀刻液对所述第三感光干膜被去除后外露的第三种子层进行蚀刻处理，以去除所述第三种子层。