[发明专利]一种晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

半切割加工处理步骤，待减薄的晶片包括相对设置的正面和背面，切割工具由所述晶片的正面切入所述晶片，切入深度等于所述晶片减薄后的厚度；

贴胶步骤，在所述晶片的正面贴上一层胶带；

背面研削步骤，对所述晶片的背面进行研削加工直至所述晶片分割成多个芯片；

框架粘贴步骤，将贴有胶带的所述晶片粘贴到框架上；

剥离胶带步骤，将所述晶片正面的胶带剥离。

2.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述背面研削步骤与所述框架粘贴步骤之间还包括背面抛光步骤，所述背面抛光步骤包括对研削加工后的所述晶片的背面进行抛光处理。

3.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述半切割加工处理步骤中，采用半切割用切割机在所述晶片的正面的切割道上开设凹槽，所述凹槽的深度等于所述晶片减薄后的厚度。

4.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述贴胶步骤中，所述胶带为UV保护膜。

5.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述贴胶步骤中，所述胶带为BG保护膜。

6.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述背面研削步骤中，采用保持工作台隔着所述胶带来保持所述晶片，使所述晶片的背面露出，并采用研削机对所述晶片的背面进行研削加工。

7.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，所述框架粘贴步骤包括采用联机系统将研削后的所述晶片搬运到框架粘贴机上。

8.如权利要求7所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述框架粘贴步骤中，在将研削后的所述晶片搬运之后先实施位置校准，再将研削后的所述晶片粘贴到所述框架粘贴机上。

9.如权利要求8所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述框架粘贴步骤中，所述晶片通过划片膜粘贴到所述框架粘贴机上。

10.如权利要求1至8任一项所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述剥离胶带步骤之后，所述晶片的加工方法还包括检验步骤，所述检验步骤包括检验分割后的所述芯片的正面和背面品质。