[发明专利]射频开关电路、射频前端电路和无线装置有效

专利信息
申请号: 202110657213.1 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN113395081B 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 曹原;李海著;倪建兴 申请(专利权)人: 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H04B1/525
代理公司: 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 代理人: 朱业刚
地址: 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 射频 开关电路 前端 电路 无线 装置
【说明书】:

发明公开一种射频开关电路、射频前端电路和无线装置。该射频开关电路,用于与射频功率放大器和射频天线相连,包括第一串联射频开关、第二串联射频开关、第三串联射频开关、第一并联射频开关和第二并联射频开关;第一串联射频开关、第二串联射频开关和第三串联射频开关串联设置在射频功率放大器与射频天线之间;第一并联射频开关的一端与第一串联射频开关和第二串联射频开关之间的连接节点相连,另一端与接地端相连;第二并联射频开关的一端与第二串联射频开关和第三串联射频开关之间的连接节点相连,另一端与接地端相连。该射频开关电路具有在能保证承受足够高的电压/功率的同时又能降低所引入的插入损耗,提高不同发射路径之间的隔离度。

技术领域

本发明涉及射频通信技术领域,尤其涉及一种射频开关电路、射频前端电路和无线装置。

背景技术

在射频前端电路中,射频开关是必不可少的元件之一。射频开关可用于将天线电连接到RF系统的发射路径或接收路径,从而允许多个部件接入天线。通常情况下,射频开关可通过多个晶体管(如场效应晶体管(FET))堆栈配置组成。当这种射频开关处于断开(OFF)状态时,它们可被认为充当关于地的分流“高”阻抗。这种断开堆栈的射频开关一般将呈现电容和阻抗。目前,射频开关通过使用更高的堆栈高度以允许断开的射频开关来承受更高的电压/功率。然而,在射频前端电路中,所使用的射频开关的堆栈高度越高(即管子的数量越多)其所引入的插入损耗就越大,射频信号在经过射频开关时的阻抗就越大。因此,如何在保证断开的射频开关在承受足够高的电压/功率的同时又能降低插入损耗成为目前亟待解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种射频开关电路、射频前端电路和无线装置,以解决射频开关电路无法兼容在断开时可承受足够高的电压/功率且可降低插入损耗的问题。

本发明提供一种射频开关电路,用于与射频功率放大器和射频天线相连,包括第一串联射频开关、第二串联射频开关、第三串联射频开关、第一并联射频开关和第二并联射频开关;

所述第一串联射频开关、所述第二串联射频开关和所述第三串联射频开关串联设置在所述射频功率放大器与所述射频天线之间;

所述第一并联射频开关的一端与所述第一串联射频开关和第二串联射频开关之间的连接节点相连,另一端与接地端相连;

所述第二并联射频开关的一端与所述第二串联射频开关和第三串联射频开关之间的连接节点相连,另一端与接地端相连;

在所述射频功率放大器通过所述射频天线发射射频信号时,所述第一串联射频开关、所述第二串联射频开关和所述第三串联射频开关闭合,所述第一并联射频开关和所述第二并联射频开关断开;

在所述射频功率放大器不通过所述射频天线发射射频信号,且所述射频功率放大器输出射频信号时,所述第一串联射频开关、所述第二串联射频开关、所述第三串联射频开关和所述第一并联射频开关断开,所述第二并联射频开关闭合;

在所述射频功率放大器不通过所述射频天线发射射频信号时,且所述射频天线发射所述射频信号时,所述第一串联射频开关、所述第二串联射频开关、所述第三串联射频开关和所述第二并联射频开关断开,所述第一并联射频开关闭合。

优选地,所述第一串联射频开关、所述第二串联射频开关、所述第三串联射频开关、所述第一并联射频开关和所述第二并联射频开关为单个晶体管形成的射频开关,或者为至少两个晶体管串联形成的射频开关。

优选地,形成所述第一串联射频开关、所述第二串联射频开关、所述第三串联射频开关、所述第一并联射频开关和所述第二并联射频开关的晶体管数量分别为N1、N2、N3、N4和N5,每一晶体管的源漏源漏击穿电压为VDS,所述第一串联射频开关与射频功率放大器相连的一端的最大电压为VmaxA,所述第三串联射频开关与射频天线相连的一端的最大电压VmaxB,则其中,为向上取整。

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