[发明专利]一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法及结构

权利要求书

1.一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

制造光耦接收芯片，在光耦接收芯片上形成受光区和非受光区；

并在光耦接收芯片的受光区对应制备增透膜结构以及在光耦接收芯片的非受光区内对应制备增反膜结构；

光耦接收芯片的受光区增透膜结构的制备方法，具体步骤如下：

光耦接收芯片的受光区通过工艺处理在表层上覆盖有二氧化硅SiO₂介质膜，使用光刻、湿法刻蚀工艺将光耦受光区介质膜完全刻蚀清除，使光耦接收芯片的受光区表面的裸硅层暴露出来；

在受光区表面的裸硅层上面依次淀积第一SiO₂膜-第一Si₃N₄膜-第二SiO₂膜，形成带三层增透膜的受光区；

光耦接收芯片的非受光区增反膜结构的制备方法，具体步骤如下：

光耦接收芯片的非受光区通过工艺处理在表层上覆盖有二氧化硅SiO₂介质膜，并在二氧化硅SiO₂介质膜上依次淀积第一SiO₂膜-Si₃N₄膜-第二SiO₂膜，形成三层增透膜结构；

在三层增透膜结构上交替依次淀积第二Si₃N₄膜-第三SiO₂膜-第三Si₃N₄膜-第四SiO₂膜-第四Si₃N₄膜；形成五层增反介质层。

2.根据权利要求1所述的一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法，其特征在于，光耦接收芯片的制备方法，具体步骤如下：

对裸硅片进行清洗，并通过原始热氧化在裸硅片上生长出介质膜；

通过埋层工艺、深磷工艺、隔离工艺、基区工艺、发射区工艺、一次孔工艺、二次孔工艺和金属工艺在裸硅片上形成带有受光区和非受光区的双极芯片。

3.根据权利要求1所述的一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法，其特征在于，在受光区的三层增透膜上淀积金属保护层，并通过光刻、湿法及金属刻蚀工艺将整个芯片受光区上的金属保护层及其上的介质层进行移除，使得受光区的三层增透膜暴露出来。

4.根据权利要求1所述的一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法，其特征在于，第一SiO₂膜的厚度为312nm；第一Si₃N₄膜的厚度为123nm；第二SiO₂膜的厚度为203nm。

5.根据权利要求1所述的一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法，其特征在于，第一SiO₂膜的厚度为312nm；第一Si₃N₄膜的厚度为123nm；第二SiO₂膜的厚度为203nm；第二Si₃N₄膜的厚度为81nm；第三SiO₂膜的厚度为153nm；第三Si₃N₄膜的厚度为109nm；第四SiO₂膜的厚度为153nm；第四Si₃N₄膜的厚度为109nm。