[发明专利]一种高压电荷泵升压电路在审
申请号: | 202110658773.9 | 申请日: | 2021-06-15 |
公开(公告)号: | CN113300591A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 沈泽良 | 申请(专利权)人: | 南京集澈电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;H02M1/14;H02M3/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 电荷 升压 电路 | ||
1.一种高压电荷泵升压电路,其特征在于:实现了输出电压稳定并跟随输入电压线性变化的升压电路,且在电路效率提高的情况下,纹波保持较小。
2.按照权利要求1所述的一种高压电荷泵升压电路,其特征在于:包含第一MOS管Q1,第二MOS管Q2,第三MOS管Q3,第四MOS管Q4,第五MOS管Q5,第一电容C1,第二电容C2,第三电容C3,第四电容C4,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第四电阻R4,第一误差放大器(AMP1);其中第一MOS管Q1的源极连接到输入端Vin,第一MOS管Q1的栅极与第一误差放大器(AMP1)的输出端相连;第一MOS管Q1的漏极分别连接到第二MOS管Q2和第三MOS管Q3的源极;第二MOS管Q2的栅极连接到Vb1,第二MOS管Q2的漏极连接到第四MOS管Q4的漏极,并通过第一电容C1连接到第三MOS管Q3的漏极;第三MOS管Q3的栅极连接到Vb2,第三MOS管Q3的漏极与第五MOS管Q5的漏极相连接;第四MOS管Q4的栅极连接到Vb3,第四MOS管Q4的漏极通过第二电容C2和第一电阻R1连接到第五MOS管Q5的漏极;第四MOS管Q4的源极接地;第五MOS管Q5的栅极连接到Vb4,第五MOS管Q5的源极与输出端Vout相连,并通过第四电容C4接地,第三电容C3一端连接到第五MOS管Q5的源极,另一端通过第二电阻R2连接到地;第一误差放大器(AMP1)的正输入端与Vref相连,负输入端通过第三电阻R3连接到输出端Vout,并通过第四电阻R4连接到地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京集澈电子科技有限公司,未经南京集澈电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110658773.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。