[发明专利]一种高压电荷泵升压电路在审

专利信息
申请号: 202110658773.9 申请日: 2021-06-15
公开(公告)号: CN113300591A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 沈泽良 申请(专利权)人: 南京集澈电子科技有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;H02M1/14;H02M3/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 电荷 升压 电路
【权利要求书】:

1.一种高压电荷泵升压电路,其特征在于:实现了输出电压稳定并跟随输入电压线性变化的升压电路,且在电路效率提高的情况下,纹波保持较小。

2.按照权利要求1所述的一种高压电荷泵升压电路,其特征在于:包含第一MOS管Q1,第二MOS管Q2,第三MOS管Q3,第四MOS管Q4,第五MOS管Q5,第一电容C1,第二电容C2,第三电容C3,第四电容C4,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第四电阻R4,第一误差放大器(AMP1);其中第一MOS管Q1的源极连接到输入端Vin,第一MOS管Q1的栅极与第一误差放大器(AMP1)的输出端相连;第一MOS管Q1的漏极分别连接到第二MOS管Q2和第三MOS管Q3的源极;第二MOS管Q2的栅极连接到Vb1,第二MOS管Q2的漏极连接到第四MOS管Q4的漏极,并通过第一电容C1连接到第三MOS管Q3的漏极;第三MOS管Q3的栅极连接到Vb2,第三MOS管Q3的漏极与第五MOS管Q5的漏极相连接;第四MOS管Q4的栅极连接到Vb3,第四MOS管Q4的漏极通过第二电容C2和第一电阻R1连接到第五MOS管Q5的漏极;第四MOS管Q4的源极接地;第五MOS管Q5的栅极连接到Vb4,第五MOS管Q5的源极与输出端Vout相连,并通过第四电容C4接地,第三电容C3一端连接到第五MOS管Q5的源极,另一端通过第二电阻R2连接到地;第一误差放大器(AMP1)的正输入端与Vref相连,负输入端通过第三电阻R3连接到输出端Vout,并通过第四电阻R4连接到地。

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