[发明专利]一种气溶胶辅助化学气相沉积的氧化镓薄膜的生长方法及氧化镓薄膜

权利要求书

1.一种气溶胶辅助化学气相沉积的氧化镓薄膜的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：组装气溶胶辅助化学气相沉积装置，所述的装置包括：升降台、气溶胶产生装置、石英管、管式炉和风扇；

所述的气溶胶产生装置设置在升降台上，气溶胶产生装置包括雾化器、滴瓶和棉棒，所述的棉棒设置在滴瓶的通孔胶塞中，雾化器紧贴在棉棒的顶端，所述的石英管的两端分别设有进气口和出气口，靠近进气口一端的下侧开有导气孔，导气孔下方设有雾化器，出气口的一侧设有风扇，所述的石英管穿过管式炉内，管式炉内设有材料生长衬底；

步骤二：将镓类化合物水溶液放入滴瓶内，启动雾化器和风扇，并将管式炉温度升至550-700℃，滴瓶内的镓类化合物水溶液通过棉棒进行传输，在雾化器和风扇的作用下，形成流动气溶胶，进入到石英管内进行生长4-10h后，得到氧化镓薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种气溶胶辅助化学气相沉积的氧化镓薄膜的生长方法，其特征在于，所述的雾化器和风扇由单片机控制。

3.根据权利要求3所述的一种气溶胶辅助化学气相沉积的氧化镓薄膜的生长方法，其特征在于，所述的雾化器由5v、300mA、2W、108KHz定频单片机驱动。

4.根据权利要求1所述的一种气溶胶辅助化学气相沉积的氧化镓薄膜的生长方法，其特征在于，所述的镓类化合物为硝酸镓、硫酸镓或氯化镓。

5.根据权利要求1所述的一种气溶胶辅助化学气相沉积的氧化镓薄膜的生长方法，其特征在于，所述风扇的转速为1000-3000转/分钟。

6.根据权利要求1所述的一种气溶胶辅助化学气相沉积的氧化镓薄膜的生长方法，其特征在于，所述管式炉温度升至600℃，所述的生长时间为8h。

7.根据权利要求1所述的一种气溶胶辅助化学气相沉积的氧化镓薄膜的生长方法，其特征在于，所述的材料生长衬底为插指电极、硅片、蓝宝石片或者玻璃。

8.权利要求1所述的制备方法得到的氧化镓薄膜，其特征在于，该氧化镓薄膜具备紫外光开关效应。