[发明专利]一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器

权利要求书

1.一一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：该有机场效应晶体管存储器从下至上依次包括衬底及基于该衬底之上的栅电极、栅绝缘层、柱极体层、有机半导体层及源漏电极，所述驻极体层为芴酮类聚合物，芴酮类聚合物的厚度为10～30nm。

2.根据权利要求1所述的一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所选衬底的材质为高掺杂硅片、玻璃片或聚对苯二甲酸乙二醇酯。

3.根据权利要求1所述的一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述栅电极的材质为高掺杂硅片、铝、铜、钛、金、银或钽的一种；所述栅绝缘层的材质为二氧化硅、氧化铝、氧化锆、聚苯乙烯或聚乙烯吡咯烷酮的一种，栅绝缘层的厚度为50～300nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述有机半导体层的材质为并五苯、并四苯、酞菁铜、氟化酞菁铜、红荧烯、并三苯或3-己基噻吩的一种，有机半导体层薄膜蒸镀在柱极体层表面，有机半导体层的厚度为30～50nm。

5.根据权利要求1所述的一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述源电极和漏电极的材质为金属或有机导电材料，源电极和漏电极的厚度为50-100nm，源电极和漏电极之间设置有机半导体导电沟道。

6.根据权利要求1所述的一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述芴酮类聚合物的结构通式如下：

其中：x为1～100中的自然数，y为1～100中的自然数，x+y＝100，n为1～300中的自然数。

7.根据权利要求6所述的一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：Ar为含芳烃共轭结构单元，具体为以下结构中的一种：

其中：R1和R2为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基链。