[发明专利]存储装置以及该存储装置的制造方法

说明书

提供一种存储装置及该存储装置的制造方法。所述存储装置包括：第一栅极导电图案，其包括第一水平部分、第二水平部分以及连接到第一水平部分的一个端部的第三水平部分；第一绝缘图案，其布置在第一栅极导电图案的第一水平部分和第二水平部分之间；以及第二栅极导电图案，其包括第一水平部分、第二水平部分以及连接到第二栅极导电图案的第二水平部分的一个端部的第三水平部分；第一栅极接触结构，其在接触区域上竖向延伸，该第一栅极接触结构在穿透第一栅极导电图案的第三水平部分的同时与第一栅极导电图案接触。

技术领域

本公开总体上涉及一种存储装置及该存储装置的制造方法，更具体地说，涉及一种三维存储装置及该三维存储装置的制造方法。

背景技术

一种存储装置包括存储单元阵列和连接到存储单元阵列的外围电路。存储单元阵列包括能够存储数据的多个存储单元，并且外围电路构造成进行诸如编程操作、读取操作或擦除操作之类的一般操作。

为了提高存储装置的集成度，存储单元阵列可以包括三维地布置在外围电路上方的存储单元。

发明内容

根据本公开的一个方面，可以提供一种存储装置，所述存储装置包括：第一栅极导电图案，所述第一栅极导电图案在半导体基板上布置成从所述半导体基板的单元区域水平延伸到接触区域，所述第一栅极导电图案包括基本上相互平行地延伸到所述接触区域的第一水平部分和第二水平部分以及连接到所述第一水平部分的一个端部的第三水平部分；第一绝缘图案，所述第一绝缘图案布置在所述第一栅极导电图案的所述第一水平部分和所述第二水平部分之间；第二栅极导电图案，所述第二栅极导电图案在所述第一栅极导电图案下方布置成基本上与所述第一栅极导电图案平行，所述第二栅极导电图案包括基本上相互平行地从所述单元区域延伸到所述接触区域的第一水平部分和第二水平部分以及连接到所述第二栅极导电图案的所述第一水平部分的一个端部的第三水平部分；第一栅极接触结构，所述第一栅极接触结构在所述接触区域上竖向延伸，所述第一栅极接触结构在穿透所述第一栅极导电图案的所述第三水平部分的同时与所述第一栅极导电图案接触；以及第二栅极接触结构，所述第二栅极接触结构在所述接触区域上竖向延伸，所述第二栅极接触结构在穿透所述第二栅极导电图案的所述第三水平部分的同时与所述第二栅极导电图案接触，其中，所述第一栅极导电图案的延伸到所述接触区域的长度比所述第二栅极导电图案的延伸到所述接触区域的长度短。

根据本公开的另一方面，可以提供一种存储装置，所述存储装置包括：外围电路结构，所述外围电路结构包括联接到外围电路的互连结构；单元层叠结构，所述单元层叠结构包括多个栅极导电图案，所述单元层叠结构层叠在所述外围电路结构上；以及多个栅极接触结构，所述多个栅极接触结构将所述多个栅极导电图案分别连接到所述互连结构，其中，所述多个栅极导电图案中的每一者均包括第一水平部分、第二水平部分以及第三水平部分，所述第一水平部分和所述第二水平部分两者都从单元区域水平延伸到接触区域，并且所述第三水平部分连接到所述第一水平部分的一端和所述第二水平部分的一端，所述第三水平部分连接到所述多个栅极接触结构中的对应栅极接触结构。

根据本公开的另一个方面，可以提供一种制造存储装置的方法，所述方法包括：在基板上形成包括互连结构的外围电路结构，所述基板包括单元区域和接触区域；在所述外围电路结构上形成包括台阶结构的单元层叠结构，所述台阶结构包括层间绝缘层和牺牲层，所述层间绝缘层层叠成在围绕沟道结构的同时彼此间隔开，并且所述牺牲层在所述层间绝缘层之间围绕所述沟道结构；通过蚀刻所述牺牲层的侧壁使得所述层间绝缘层比所述牺牲层进一步突出而在所述层间绝缘层的侧壁中形成间隙；通过在包括所述台阶结构的结构上形成间隙填充绝缘层，在每个所述牺牲层的所述侧壁中形成沿第一方向延伸的第一隧道；通过在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上进行蚀刻所述间隙填充绝缘层和所述台阶结构的狭缝工艺，暴露所述牺牲层的所述侧壁和所述第一隧道；通过选择性地去除所述单元区域的所述牺牲层并且将所述接触区域的所述牺牲层的侧壁蚀刻到一定厚度来形成第二隧道，其中所述第二隧道与所述第一隧道连接并且在所述第二方向上延伸；以及通过用导电材料填充去除了所述单元区域上的所述牺牲层的区域以及所述接触区域上的所述第一隧道和所述第二隧道的内部来形成栅极导电图案。