[发明专利]包含膦氧化物基质和金属盐的半导体材料在审
| 申请号： | 202110659744.4 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN113563379A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 卡斯滕·罗特;迈克·策尔纳 | 申请（专利权）人： | 诺瓦尔德股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F9/53 | 分类号： | C07F9/53;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘慧;金海霞 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 氧化物 基质 金属 半导体材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体材料，其包含：
i)化合物，其选自A1至A7和B1至B8：
以及
ii)至少一种式(II)所示的锂络合物
其中A1是C6-C30亚芳基或在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2-C30亚杂芳基，并且每个A2和A3独立地选自C6-C30芳基和在芳香环中包含至少一个选自O、S和N的原子的C2-C30杂芳基。
2.根据权利要求1所述的半导体材料，其中在化合物(II)中，A1是亚苯基。
3.根据权利要求1所述的半导体材料，其中在化合物(II)中，取代基A2和A3中至少一个是苯基。
4.根据权利要求1所述的半导体材料，其中化合物(II)选自D2或D3：
5.一种电子器件，其包含阴极、阳极和在阴极和阳极之间的半导体层，所述半导体层包含根据权利要求1-4中任一所述的半导体材料。
6.根据权利要求5所述的电子器件，其中所述半导体层是电子传输层或电子注入层。
7.根据权利要求5所述的电子器件，其中所述半导体层不发光。
8.根据权利要求6所述的电子器件，其是发光器件。
9.根据权利要求8所述的电子器件，其中所述电子器件是有机发光二极管。
10.一种化合物，其选自A1至A7和B1至B8：
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