[发明专利]MOS控制晶闸管的制造方法及MOS控制晶闸管

权利要求书

1.一种MOS控制晶闸管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S100：采用离子注入工艺在衬底(100)上形成第一JFET区域(210)；

S200：在衬底(100)上生长EPI层(300)；

S300：采用离子注入工艺在EPI层(300)上形成第二JFET区域(220)；

S400：采用扩散工艺使第二JFET区域(220)与第一JFET区域(210)连通；

S500：进行栅极(700)、重掺杂N型区(400)、重掺杂P型区(410)及阱区(500)工艺，并完成正面工艺；

S600：进行背面缓冲层(800)、背面重掺杂层(900)及漏极(1000)工艺，并完成背面工艺。

2.根据权利要求1所述的MOS控制晶闸管的制造方法制造的MOS控制晶闸管，其特征在于，包括衬底(100)，所述衬底(100)上方设置有EPI层(300)及JFET区域(200)，所述JFET区域(200)的下端延伸到所述衬底(100)内一定深度，所述JFET区域(200)将所述EPI层(300)隔离为左右两部分，所述EPI层(300)的上部设有正面重掺杂区和阱区(500)，所述正面重掺杂区的上方设有源极(600)，两个所述源极(600)之间设有栅极(700)，所述衬底(100)下方依次设有缓冲层(800)、背面重掺杂层(900)及漏极(1000)。

3.根据权利要求2所述的MOS控制晶闸管，其特征在于，所述JFET区域(200)的横向尺寸范围为4至5um。

4.根据权利要求2所述的MOS控制晶闸管，其特征在于，所述衬底(100)为N型衬底。

5.根据权利要求4所述的MOS控制晶闸管，其特征在于，所述JFET区域(200)均磷离子注入形成。

6.根据权利要求4所述的MOS控制晶闸管，其特征在于，所述EPI层(300)为P型EPI层。

7.根据权利要求4所述的MOS控制晶闸管，其特征在于，所述阱区(500)为N型阱区。

8.根据权利要求4所述的MOS控制晶闸管，其特征在于，所述正面重掺杂区包括重掺杂N型区(400)及重掺杂P型区(410)，所述阱区(500)设置于所述重掺杂N型区(400)的内侧，所述重掺杂P型区(410)设置于所述阱区(500)及所述重掺杂N型区(400)之间。

9.根据权利要求4所述的MOS控制晶闸管，其特征在于，所述缓冲层(800)为N型缓冲层(800)。

10.根据权利要求4所述的MOS控制晶闸管，其特征在于，所述背面重掺杂层(900)为P型重掺杂层。