[发明专利]针对脑出血患者病变部位长期高精度EIT检测的电极排布方法

权利要求书

1.针对脑出血患者病变部位长期高精度EIT检测的电极排布方法，其特征在于具体包括如下步骤：

步骤一、为使成像更加精准，有针对性的将脑部划分为三个初始区域，分别为Ω1、Ω2、Ω3，其中Ω1为前额至两侧太阳穴所围区域，Ω3为两侧耳后至后枕所围区域，Ω2为两侧太阳穴至两侧耳后所围区域，Ω1、Ω3为人脑出血病变多发区且为普通EIT技术电极排布下成像形变严重区域；

步骤二、按照脑出血患者前期CT或MRI图像确定病变位置，根据步骤一的划分判断病变所处区域；

步骤三、在距双眉往上3cm的水平面上，在前额外围中心与后枕外围中心各放置一个电极作为固定电极，将其余n-2个电极以间隔弧长放置，其中c为患者颅脑在此水平面上的周长，n为电极数；

步骤四、计算并保留病变所处区域的相对灵敏度RS，重建图像，计算并保留位置偏移PE：

S_Ωi表示Ωi区域内的像素点灵敏度值，S表示整个脑部区域的像素点灵敏度值，其中i的取值范围为1或3，X_m、Y_m分别表示重建图像的所有像素点中电导率大于或等于50％最大电导率的像素点的X轴坐标与Y轴坐标，q表示重建图像的所有像素点中电导率大于或等于50％最大电导率的像素点的个数，X、Y分别表示CT或MRI图像上病变几何中心的X轴坐标与Y轴坐标；

像素点灵敏度值的计算公式为：其中i、j表示灵敏度像素点第i行，第j列，分别表示第i个电极组及第j个电极组在激励电流分别为I_i，I_j时场域的电势分布的梯度；

步骤五、根据所处区域不同，分别对n个电极进行相应的电极位置优化，采用相对激励模式计算灵敏度矩阵并进行图像重建，具体步骤如下：

(5.1)若病变区域位于Ω1范围内进行如下步骤：

步骤5.11、选定以固定电极连线为对称轴，左右对称的一对电极；

步骤5.12、移动选定电极、计算并保留RE、PE值；

步骤5.13、判断未选定过的电极对是否小于若是，则保留选定电极对所有位于头部双耳至后枕的位置及对应的RS、PE数据，去除其余数据，若否，则不进行操作；

步骤5.14、根据RS、PE值筛选最优电极位置；

步骤5.15、固定选定电极对到最优的电极位置，循环进行步骤5.11～5.15，再进行电极对的选择和寻优，直到所有电极均已固定到最优的电极位置时结束该区域优化；

(5.2)若病变区域位于Ω2范围内，不作调整；

(5.3)若病变区域位于Ω3范围内进行如下步骤：

步骤5.31、选定以固定电极连线为对称轴，左右对称的一对电极；

步骤5.32、移动选定电极、计算并保留RE、PE值；

步骤5.33、判断未选定过的电极对是否小于若是，则保留选定电极对所有位于前额至头部双耳的位置及对应RS、PE数据，去除其余数据，若否，则不进行操作；

步骤5.34、根据RS、PE值筛选最优电极位置；

步骤5.35、固定选定电极对到最优的电极位置，循环进行步骤5.31～5.35，再进行电极对的选择和寻优，直到所有电极均已固定到最优的电极位置时结束该区域优化。

2.根据权利要求1所述的针对脑出血患者病变部位长期高精度EIT检测的电极排布方法，其特征在于：电极数n的取值范围为8、10、12、14、16或18。

3.根据权利要求1所述的针对脑出血患者病变部位长期高精度EIT检测的电极排布方法，其特征在于相对激励模式具体过程为：以前额固定电极为1号电极逆时针对n个电极排序，第一次激励为1号电极注入电流，号电极即后枕固定电极作为电流回路；第二次激励为2号电极注入电流，号电极即后枕固定电极作为电流回路；以此类推，当作为电流回路的电极序号超过n时，继续从1开始编号，直到n号电极注入电流，号电极作为电流回路时结束激励，使所有注入电流和作为电流回路的电极对连线长度接近头部最长直径，便于电流穿透头骨，获得最佳效果。