[发明专利]一种尾气排放结构和还原炉在审

专利信息
申请号: 202110661115.5 申请日: 2021-06-15
公开(公告)号: CN113307271A 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 冯留建;吴万里;张霞飞;范协诚;王文;银波;孙运德 申请(专利权)人: 新疆硅基新材料创新中心有限公司;新特能源股份有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 胡影;李红标
地址: 831500 新疆维吾尔自治区乌鲁木*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 一种 尾气 排放 结构 还原
【说明书】:

本申请公开了一种尾气排放结构和还原炉,尾气排放结构包括:多个尾气支管;每个尾气支管的第一端与环形管连通,多个尾气支管的第一端沿环形管的周向间隔设置;环形管与平衡箱连通;尾气母管的第一端与平衡箱连通。尾气支管与还原炉的底部的排气孔连通,还原炉中的气体通过排气孔进入尾气支管,尾气支管中的尾气气体进入环形管,不同尾气支管中的尾气可以在环形管进行平衡,环形管中的尾气进入平衡箱中平衡使得气体的压力更加均匀,然后平衡箱中的气体通过尾气母管排除。通过环形管与平衡箱对各尾气支管内气体流量的平衡,降低尾气支管内的结硅情况和硅渣清理频次,保持尾气排放均匀稳定,使得还原炉内的压力、流场、温度场更稳定。

技术领域

本申请属于多晶硅技术领域,具体涉及一种尾气排放结构和还原炉。

背景技术

多晶硅是制造集成电路、太阳能电池的主要原料。多晶硅的生产主要使用改良西门子法,将氯硅烷和氢气等原料送入还原炉中在硅棒上发生化学气相沉积(CVD)反应生成多晶硅,生产过程中为保证还原炉内较高的生产效率,要提高其在硅棒表面的沉积速度,会通过喷嘴连续喷入原料气,同时将反应后低浓度的氯硅烷及反应过程中的副产物通过尾气口连续排出。在尾气流经尾气管时,尾气管中气体压力流量不均匀,导致还原炉内的压力、流场、温度场不稳定,影响多晶硅的生成质量。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种尾气排放结构和还原炉,用以解决还原炉的尾气管中气体压力流量不均匀,导致还原炉内的压力、流场、温度场不稳定,影响多晶硅生成质量的问题。

第一方面,本申请实施例提供了一种尾气排放结构,包括:

多个尾气支管;

环形管,每个所述尾气支管的第一端与所述环形管连通,多个所述尾气支管的第一端沿所述环形管的周向间隔设置;

平衡箱,所述环形管与所述平衡箱连通;

尾气母管,所述尾气母管的第一端与所述平衡箱连通。

其中,所述尾气支管为直管,多个所述尾气支管的轴线与所述环形管的轴线平行。

其中,还包括:

汇集管,所述环形管与所述平衡箱通过所述汇集管连通,所述汇集管的第一端与所述环形管连通,所述汇集管的第二端与所述平衡箱连通。

其中,所述汇集管具有多个,多个所述汇集管的第一端沿所述环形管的周向均匀间隔设置,多个所述汇集管的第二端沿所述平衡箱的周向均匀间隔设置。

其中,所述平衡箱为柱状,所述平衡箱的轴线与所述环形管的轴线共线,所述汇集管沿所述环形管的径向方向延伸。

其中,所述汇集管上设有膨胀节。

其中,所述环形管上邻近所述尾气支管的第一端的位置设有排渣管,所述排渣管的轴线与所对应的所述尾气支管的轴线共线,所述排渣管的第二端设有挡板,所述挡板可打开或封闭所述排渣管的第二端的管口。

其中,所述尾气支管和所述尾气母管中的至少一个上设有温度传感器。

其中,所述平衡箱上设有开口,所述开口与所述尾气母管的第一端连通,所述平衡箱中或所述尾气母管上设有除尘装置。

其中,所述平衡箱的底部设有排出口,所述平衡箱上邻近所述排出口的位置设有盖板,所述盖板可打开或封闭所述排出口。

其中,还包括:

温度调节装置,所述尾气支管、所述环形管和所述尾气母管中的至少一个上设有所述温度调节装置。

第二方面,本申请实施例提供了一种还原炉,包括:

上述实施例中所述的尾气排放结构;

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