[发明专利]光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法

权利要求书

1.光导型全硅基日盲紫外探测器，其特征在于，包括：

硅基底，所述硅基底为P型晶硅或本征晶硅，被配置为载流子传输层；

非晶掺氧氮化硅薄膜，形成于所述硅基底表面，被配置为紫外光吸收层以产生载流子；

叉指状电极，形成于所述非晶掺氧氮化硅薄膜表面。

2.根据权利要求1所述光导型全硅基日盲紫外探测器，其特征在于，所述非晶掺氧氮化硅薄膜的厚度为100-200nm。

3.根据权利要求1所述光导型全硅基日盲紫外探测器，其特征在于，所述叉指状电极为Ti/Au叉指状电极或Al叉指状电极，所述叉指状电极的受光面积为0.07-0.1mm²。

4.光导型全硅基日盲紫外探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一硅基底；

在所述硅基底上沉积一层非晶掺氧氮化硅薄膜；

在所述非晶掺氧氮化硅薄膜表面形成叉指状电极。

5.根据权利要求4所述的光导型全硅基日盲紫外探测器的制作方法，其特征在于，还包括硅基底预处理步骤，所述硅基底预处理步骤具体包括：

依次对硅基底进行酸洗、碱洗、水漂洗，烘干后再用酸液除去硅基底表面的氧化层，之后氮气吹干备用。

6.根据权利要求4所述的光导型全硅基日盲紫外探测器的制作方法，其特征在于，硅基底上沉积非晶掺氧氮化硅薄膜步骤包括：

将硅烷、氨气和氮气的混合气体通过等离子气相沉积工艺在硅基底表面沉积一层非晶氮化硅薄膜，再对所述非晶氮化硅薄膜进行原位氧化得到非晶掺氧氮化硅薄膜。

7.根据权利要求6所述的光导型全硅基日盲紫外探测器的制作方法，其特征在于，混合气体中硅烷、氨气、氮气的气体流量比为1:8:35-45。

8.根据权利要求6所述的光导型全硅基日盲紫外探测器的制作方法，其特征在于，等离子气相沉积工艺的参数为：射频功率18-22W、气压550-600mTorr、温度240-260℃。

9.根据权利要求4所述的光导型全硅基日盲紫外探测器的制作方法，其特征在于，还包括退火步骤，所述退火步骤发生在非晶掺氧氮化硅薄膜沉积完成之后、叉指状电极形成之前；将形成有非晶掺氧氮化硅薄膜的硅基底在950-1050℃下，氮气氛围中退火0.5-1.5h。

10.根据权利要求4所述的光导型全硅基日盲紫外探测器的制作方法，其特征在于，非晶掺氧氮化硅薄膜表面形成叉指状电极步骤包括：

在非晶掺氧氮化硅薄膜表面涂覆光刻胶，并在光刻胶上形成叉指状电极图形，然后在光刻胶表面蒸镀金属，最后在水浴加热下利用lift-off剥离工艺形成叉指状电极。