[发明专利]组合物和使用所述组合物沉积含硅膜的方法

权利要求书

1.一种使用可流动化学气相沉积来沉积氮化硅或碳掺杂氮化硅膜的方法，所述方法包括：

将包含表面特征的衬底置于反应器中，其中所述衬底保持在-20℃至400℃范围内的一个或多个温度下，并且所述反应器的压力保持为100托或更低；

引入选自以下的至少一种化合物和氮源：

其中式IIA中的取代基R各自独立地选自氢原子；卤素原子；直链C₁-C₁₀烷基；支链C₃-C₁₀烷基；直链或支链C₃-C₁₂烯基；直链或支链C₃-C₁₂炔基；C₄-C₁₀环烷基；和C₆-C₁₀芳基；以及其中式IIC中的取代基R各自独立地选自卤素原子；直链C₁-C₁₀烷基；支链C₃-C₁₀烷基；直链或支链C₃-C₁₂烯基；直链或支链C₃-C₁₂炔基；C₄-C₁₀环烷基；和C₆-C₁₀芳基；

其中所述至少一种化合物与所述氮源反应以在所述表面特征的至少一部分上形成氮化硅或碳掺杂氮化硅膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述氮源选自氨、肼、氮、氮等离子体、氮/氢等离子体、氮/氦等离子体、氮/氩等离子体、氨等离子体、氨/氦等离子体、氨/氩等离子体、氨/氮等离子体、NF₃、NF₃等离子体、有机胺等离子体及其混合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述氮源选自氨、单烷基肼、二烷基肼、氮、氮等离子体、氮/氢等离子体、氮/氦等离子体、氮/氩等离子体、氨等离子体、氨/氦等离子体、氨/氩等离子体、氨/氮等离子体、NF₃、NF₃等离子体、有机胺等离子体及其混合物。

4.一种在沉积工艺中沉积氮化硅或碳掺杂氮化硅膜的方法，所述方法包括：

将具有表面特征的衬底置于反应器中，所述反应器保持在-20℃至400℃范围内的一个或多个温度下；

向所述反应器中引入选自以下的至少一种化合物和氮源：

其中式IIA中的取代基R各自独立地选自氢原子；卤素原子；直链C₁-C₁₀烷基；支链C₃-C₁₀烷基；直链或支链C₃-C₁₂烯基；直链或支链C₃-C₁₂炔基；C₄-C₁₀环烷基；和C₆-C₁₀芳基；以及其中式IIC中的取代基R各自独立地选自卤素原子；直链C₁-C₁₀烷基；支链C₃-C₁₀烷基；直链或支链C₃-C₁₂烯基；直链或支链C₃-C₁₂炔基；C₄-C₁₀环烷基；和C₆-C₁₀芳基；

其中所述至少一种化合物与所述氮源反应以在所述表面特征的至少一部分上形成氮化硅或碳掺杂氮化硅膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述氮源选自氨、肼、氮、氮等离子体、氮/氢等离子体、氮/氦等离子体、氮/氩等离子体、氨等离子体、氨/氦等离子体、氨/氩等离子体、氨/氮等离子体、NF₃、NF₃等离子体、有机胺等离子体及其混合物。