[发明专利]一种金刚石晶片复合抛光加工方法及装置在审

专利信息
申请号: 202110662117.6 申请日: 2021-06-15
公开(公告)号: CN113290501A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 路家斌;王新汉;熊强;邓家云;阎秋生;刘文涛 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: B24B37/04 分类号: B24B37/04;B24B37/10;B24B37/34
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 林丽明
地址: 510090 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 金刚石 晶片 复合 抛光 加工 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种金刚石晶片复合抛光加工方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤一:配置芬顿反应液;

步骤二:采用紫外光照射步骤一配置好的芬顿反应液;

步骤三:将金刚石工件安装在抛光加工装置的工件盘上,并使抛光加工装置的抛光垫与金刚石工件接触,然后输送经过步骤二中经过紫外光照射的芬顿反应液到抛光垫上;

步骤四:使抛光垫与金刚石作相对旋转运动进行抛光。

2.根据权利要求1所述的金刚石晶片复合抛光加工方法,其特征在于,在步骤一中,还包括配置光催化反应液;在步骤二中,采用紫外光照射步骤一配置好的芬顿反应液和光催化反应液;在步骤三中,将芬顿反应液和光催化反应均输送到抛光垫上。

3.根据权利要求1所述的金刚石晶片复合抛光加工方法,其特征在于,所述芬顿反应液由第一基液、第一磨粒、芬顿反应催化剂、H2O2和去离子水混合而成。

4.根据权利要求2所述的金刚石晶片复合抛光加工方法,其特征在于,所述光催化反应液由第二基液、第二磨粒、光催化剂、电子捕捉剂和pH调节剂混合而成。

5.根据权利要求1所述的金刚石晶片复合抛光加工方法,其特征在于,在步骤二中,紫外光光照强度可选为500mW/cm2-1500mW/cm2

6.一种金刚石晶片复合抛光加工装置,其特征在于,包括:

工件盘运动组件(400),所述工件盘运动组件(400)用于装载工件(100)并带动工件(100)旋转;

抛光盘运动组件(500),所述抛光盘运动组件(500)包括抛光垫(510)和抛光盘(520),所述抛光垫(510)装载在所述抛光盘(520);

抛光液供应系统(600),所述抛光液供应系统(600)包括抛光液制备装置(610)和输送所述抛光液制备装置(610)内的液体到所述抛光盘(520)上的输送装置;

紫外光发生装置(300),所述紫外光发生装置(300)用于产生紫外光并照射在所述抛光液制备装置(610)上。

7.根据权利要求6所述的金刚石晶片复合抛光加工装置,其特征在于,所述工件盘运动组件(400)包括工件盘(480)、连接法兰(470)、工件盘驱动主轴(460)、工件盘驱动器(450)和偏摆机构,所述工件盘(480)用于装载工件(100),所述工件盘(480)通过所述连接法兰(470)与所述工件盘驱动主轴(460)连接,所述工件盘驱动器(450)与所述工件盘驱动主轴(460)连接以带动所述工件盘驱动主轴(460)转动;

所述偏摆机构包括偏摆杆(420)和偏摆滑块(430),所述偏摆杆(420)与所述抛光盘(520)平行,所述工件盘驱动器(450)连接在所述偏摆滑块(430)上,所述偏摆滑块(430)可移动地连接在所述偏摆杆(420)上。

8.根据权利要求7所述的金刚石晶片复合抛光加工装置,其特征在于,所述工件盘运动组件(400)还包括压力气缸(440),所述压力气缸(440)连接在所述偏摆滑块(430)上,所述工件盘驱动器(450)连接在所述压力气缸(440)的输出端上。

9.根据权利要求6所述的金刚石晶片复合抛光加工装置,其特征在于,所述抛光液供应系统(600)还包括搅拌器(620),所述搅拌器(620)设置于所述抛光液制备装置(610)上。

10.根据权利要求6所述的金刚石晶片复合抛光加工装置,其特征在于,所述紫外光发生装置(300)包括紫外光发生器(310)、光纤(320)、紫外光发射头(330)和支架(340),所述紫外光发生器(310)用于产生紫外光,所述紫外光发生器(310)通过所述光纤(320)与所述紫外光发射头(330)连接,所述紫外光发射头(330)设有复眼透镜,所述紫外光发射头(330)可沿靠近或远离所述容器的方向移动地连接在所述支架(340)上。

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