[发明专利]一种用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液

权利要求书

1.一种用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液，其特征在于，所述清洗液按照以下质量百分比的原料制成：胍或胍的衍生物的质量百分比1～20％，链烷醇胺的质量百分比1～20％，抗氧化剂的质量百分比0.1～10％，可选的含氮杂环的金属腐蚀阻止剂的质量百分比0.01～5％。

2.根据权利要求1所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液，其特征在于：所述胍或胍的衍生物选自胍、1,1,3,3-四甲基胍、精氨酸、2-叔丁基-1,1,3,3-四甲基胍、2-(4-甲苯基)-1,1,3,3-四甲基胍、双胍、二甲双胍、苯乙双胍、氯胍、丁二胍、1-(邻甲苯基)双胍中的一种或多种；所述胍或胍的衍生物的质量百分比选自1-20％、1-10％、5-15％、5-10％中的一种；优选5-15％，更优选5-10％。

3.根据权利要求1所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液，其特征在于：所述链烷醇胺选自乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、甲基乙醇胺、三乙醇胺(TEA)、异丙醇胺、异丁醇胺、二甘醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羟乙基乙二胺中的一种或多种；所述链烷醇胺的质量百分比选自1-20％、1-10％、5-15％、3-10％、3-15％中的一种；优选1-20％，更优选3-10％。

4.根据权利要求1所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液，其特征在于：所述抗氧化剂选自抗坏血酸、3,4,5-三羟基苯甲酸、邻苯二酚及其衍生物中的一种或多种；所述抗氧化剂的质量百分比选自0.1-10％、0.1-5％、0.5-10％、0.5-5％、0.5-3.5％中的一种；优选0.1-5％，更优选0.5-3.5％。

5.根据权利要求1所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液，其特征在于：所述可选的含氮杂环的金属腐蚀阻止剂选自1,2,4-三氮唑、1,2,3-三氮唑、咪唑、苯基叠氮、苯并咪唑、苯并噻唑、尿素及上述化合物的衍生物中的一种或多种；所述含氮杂环的金属腐蚀阻止剂的质量百分比选自0.001-5％，0.01-2％，0.05-2％，0.1-1.5％中的一种；优选0.01-2％，更优选0.1-1.5％。

6.根据权利要求1所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液，其特征在于：所述清洗液的PH值大于8，优选pH11，更优选pH13。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液，其特征在于：所述清洗液在使用时先与水进行稀释，稀释比在1：1到1：200，优选1：10到1：100，更优选1：20到1：60；所述清洗液可用于在含钴阻碍层的铜半导体金属衬底表面清洗；所述金属衬底的材质可选自铜、钽、氮化钽、钛、氮化钛中的一种或多种。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液，其特征在于：所述清洗液可用于清洗机中清洗晶片或在抛光结束后在抛光盘上清洗晶片。