[发明专利]一种碲硒镉靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种碲硒镉靶材，其特征在于，包括以下组分：CdSe粉和CdTe粉；其中，所述CdSe粉和CdTe粉的摩尔比为：CdSe粉：CdTe粉＝1:3.5-4.5。

2.如权利要求1所述的碲硒镉靶材，其特征在于，所述CdSe粉和CdTe粉的摩尔比为：CdSe粉：CdTe粉＝1:4。

3.如权利要求1所述的碲硒镉靶材，其特征在于，所述CdSe粉的纯度为5N，CdTe粉的纯度为4.8N。

4.如权利要求1所述的碲硒镉靶材，其特征在于，所述CdSe粉的粒径为35-100μm，CdTe粉的粒径为35-100μm。

5.一种如权利要求1-4任一项所述的碲硒镉靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将CdSe粉和CdTe粉加入均质机，均质后得到混合物料，将混合物料装入石墨磨具，将装好混合物料的石墨磨具放入热压炉中，进行预压；

(2)预压完成后，抽真空处理，真空度10pa时开始加热并保温处理；

(3)保温完成后对热压炉加压处理，后降温，温度低于450℃后，关闭真空泵，通N₂降温到25-30℃，脱模得到碲硒镉毛坯靶材，通过数控机床加工后得到碲硒镉靶材。

6.如权利要求1所述的碲硒镉靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，均质的时间为6-8h；均质时采用三维均质机进行均质，均质的过程中加入锆球；石墨磨具的规格为208mm×116mm，预压的压力为25T。

7.如权利要求1所述的碲硒镉靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，加热并保温处理的具体过程为：加热至700-750℃后保温20-30min；加热的速率为9-11℃/min。

8.如权利要求1所述的碲硒镉靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，压力的输出功率为0.5w，加压至40-45MPa，加压结束后保压1-2h。