[发明专利]一种钙钛矿吸光层材料的制备方法

权利要求书

1.钙钛矿吸光层材料的制备方法，其特征在于，包括下面的步骤：

S1：获得石墨烯片，在所述石墨烯片上通过浸渍法负载得到有SnF₂的石墨烯片；

S2：以掺杂有SnF₂的石墨烯片为基片，通过真空热蒸发沉积的方式制得负载CsI薄膜的二次基片，然后以所述CsI薄膜为基础再次沉积得到SnI₂薄膜负载的结构；

S3：迅速在退火炉中以保护气体的氛围下在180℃至320℃范围内的温度下进行退火步骤，随后自然冷却，以得到具有掺杂SnF₂石墨烯片的CsSnI₃钙钛矿薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿吸光层材料的制备方法，其特征在于，具有掺杂SnF₂石墨烯片的CsSnI₃钙钛矿薄膜材料中的SnF₂与CsSnI₃的摩尔比为0.1:1至0.3：1。

3.根据权利要求2所述的钙钛矿吸光层材料的制备方法，其特征在于，具有掺杂SnF₂石墨烯片的CsSnI₃钙钛矿薄膜材料中的SnF₂与CsSnI₃的摩尔比为0.2：1。