[发明专利]双主回路驱动装置及其控制方法

权利要求书

1.一种双主回路驱动装置，其特征在于，包括由IGBT三相桥式逆变电路(1)和SIC-MOSFET三相桥式逆变电路(2)并联构成的双主回路；

由IGBT驱动与保护电路(4)、SIC-MOSFET驱动与保护电路(5)、多路选通器(6)和微控制器(7)构成的双主回路PWM驱动信号的选通切换电路；

微控制器(7)输出的PWM驱动信号联通多路选通器(6)，多路选通器(6)通过单刀双掷选通联通IGBT驱动与保护电路(4)或SIC-MOSFET驱动与保护电路(5)；

SIC-MOSFET驱动与保护电路(5)输出PWM驱动信号连接SIC-MOSFET三相桥式逆变电路(1)；IGBT驱动与保护电路(4)输出PWM驱动信号连接IGBT三相桥式逆变电路(1)。

2.根据权利要求1所述的双主回路驱动装置，其特征在于，微控制器(7)输出的导通控制信号与多路选通器(6)联通；多路选通器(6)根据导通控制信号确定需要选通的主回路。

3.根据权利要求2所述的双主回路驱动装置，其特征在于，微控制器的导通控制信号通过微控制器(7)的GPIO0\1\2\3管脚与多路选通器(6)的S0\S1\S2\EN管脚联通，通过多路管脚的选通真值表确定选通关系。

4.根据权利要求1所述的双主回路驱动装置，其特征在于，IGBT三相桥式逆变电路(1)与SIC-MOSFET三相桥式逆变电路(2)的ABC三相的上下桥臂中点分别并联，并连接至电机(8)。

5.根据权利要求1所述的双主回路驱动装置，其特征在于，还包括直流母线电容模块(3)，包括n个串联的直流母线电容，串联后的正负极分别连接至SIC-MOSFET三相桥式逆变电路(1)与IGBT三相桥式逆变电路(2)的正极和负极。

6.根据权利要求1所述的双主回路驱动装置，其特征在于，SIC-MOSFET驱动与保护电路(5)和IGBT驱动与保护电路(4)接收三路上桥臂开关信号，并依据设定的死区控制时间，将其转换成互补的三路下桥臂开关信号。

7.一种双主回路驱动装置的控制方法，用于控制权利要求1-6的双主回路驱动装置，其特征在于，包括步骤：

(1)计算M*N个工况点的IGBT和SIC-MOSFET的损耗差值百分比η，构造η[M][N]矩阵，并内置于微控制器；其中，M为转矩点个数，N为转速点个数；

(2)采集实时工况点(ω,T)；其中，ω为转速值，T为转矩值；

(3)根据内置η[M][N]矩阵，计算实时工况点(ω,T)的IGBT和SIC-MOSFET损耗差值百分比η(ω,T)；

(4)当η(ω,T)增加且大于切换上限η_a时，微控制器控制多路选通器切换至SiC-MOSFET三相桥式逆变电路；当η(ω,T)减小且小于切换下限η_b时，微控制器控制多路选通器切换至IGBT三相桥式逆变电路。