[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，有源结构包括具有第一设计尺寸的硅纳米线，在薄膜晶体管的制备过程中，硅纳米线可由具有设计直径的引导颗粒的引导下形成，通过改变引导颗粒的设计直径，可以制备得到具有相应设计尺寸的硅纳米线。因此，能够避免使用掩模工艺制备硅纳米线，从而能够降低薄膜晶体管的生产成本。而且，相较于现有的有源结构，硅纳米线具有载流子迁移率高、均匀性高的特点，从而能够提高薄膜晶体管的性能，能够降低薄膜晶体管的功耗。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

随着电子技术的发展，TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)越来越多的应用于各种电子产品中，例如，在显示面板中，TFT可用于驱动显示面板中的发光器件，或作为发光器件的开关单元等。

在显示面板的TFT的制作过程中，栅极、源极、漏极、有源结构等膜层结构，均需要采用掩模工艺来进行制备，而且，不同功能的TFT的结构尺寸存在不同，需要更换不同的掩模版，这会导致显示面板生产成本的增高。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板，用以解决现有技术中显示面板的TFT的制备需要采用多道掩模工艺，导致的生产成本增高的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：

衬底基板；

有源结构，位于衬底基板的一侧，有源结构包括第一非晶硅结构和第一设计尺寸的硅纳米线；

源极结构和漏极结构，均位于有源结构远离衬底基板的一侧，源极结构与硅纳米线的一端连接，漏极结构与硅纳米线的另一端连接。

第二个方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：至少两种上述第一个方面所提供的薄膜晶体管，各种薄膜晶体管的第一设计尺寸不同。

第三个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：上述第二个方面所提供的阵列基板。

第四个方面，本申请实施例提供了一种如上述第二个方面所提供的阵列基板的制备方法，包括：

在衬底基板的一侧制备至少两种薄膜晶体管的第一结构；

采用还原工艺将至少两种第一结构处理形成至少两种设计直径的引导颗粒；

在各引导颗粒远离衬底基板的一侧制备非晶硅膜层；

对非晶硅膜层进行退火，形成有源结构，使得非晶硅膜层中的一部分非晶硅结构在至少两种引导颗粒的引导下形成有源结构的具有不同第一设计尺寸的至少两种硅纳米线；第一设计尺寸与设计直径相对应；有源结构还包括第一非晶硅结构；

在有源结构和衬底基板的一侧制备源极结构和漏极结构，使得硅纳米线的一端与源极结构电连接，硅纳米线的另一端与漏极结构电连接。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：

在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，有源结构包括具有第一设计尺寸的硅纳米线，在薄膜晶体管的制备过程中，硅纳米线可由具有设计直径的引导颗粒的引导下形成，通过改变引导颗粒的设计直径，可以制备得到具有相应设计尺寸的硅纳米线。因此，能够避免使用掩模工艺制备硅纳米线，从而能够降低薄膜晶体管的生产成本。

而且，相较于现有的有源结构，硅纳米线具有载流子迁移率高、均匀性高的特点，从而能够提高薄膜晶体管的性能，能够降低薄膜晶体管的功耗。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明