[发明专利]一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法

权利要求书

1.一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、分别配置三种不同的粉料，第一粉料为纯碳化硅粉料、第二粉料为以10-30wt％的比例混合均匀添加粒径为100-1000μm高纯无定形碳粉或石墨粉的碳化硅粉料、第三粉料为以1-10wt％的比例混合均匀添加粒径为100-1000μm高纯无定形碳粉或石墨粉的碳化硅粉料；

步骤2、将坩埚内的粉料添加区域划分为第一粉料添加区(1)、第二粉料添加区(2)、第三粉料添加区(3)，设坩埚粉料添加区域的高为h、半径为r，则第三粉料添加区则为自粉料添加区域顶部向粉料添加区域底部，高度为0.05-0.15h，半径与添加区域半径相同为r的区域；而第二粉料为圆柱状，位于坩埚中部，为自第三粉料添加区下表面开始高度为0.1h-0.8h，半径为0.05-0.8r的区域；而其余临近坩埚壁的剩余空间为第一粉料添加区域；

步骤3、首先向坩埚底部加入一定质量的第一粉料，然后在坩埚中心插入第二粉料添加区(2)相同体积、无上下底的圆筒，向圆筒中加入第二粉料，向圆筒和坩埚的缝隙中加入剩余的第一粉料，之后小心取出圆筒，再加入第三粉料，完成PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加。

2.根据权利要求1所述的一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：步骤2中第二粉料添加区(2)的高为0.6h、半径为0.5r，第三粉料添加区(3)的高为0.1h、半径为r。

3.根据权利要求1所述的一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：步骤3中第一粉料、第二粉料、第三粉料的质量比为1875:375:250。

4.根据权利要求1所述的一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法，其特征在于：在坩埚盖上粘接籽晶，之后将具有附加碳源的粉料的坩埚整体放入晶体生长炉中开始晶体生长，生长过程中使用的生长条件为10^-3atm的氩气氛，生长温度2300℃，生长时间为80h。