[发明专利]一种检测光耦发光侧漏点硅胶缺陷的方法、装置及设备

权利要求书

1.一种检测光耦发光侧漏点硅胶缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：

电流源施加第一输入电流给待测光耦的输入端，电压源施加第一电压给待测光耦的输出端且测量第一导通电流，具有运算功能的电路计算第一导通电流与第一输入电流之间的电流传输比CTR1并记录；

电流源施加大于第一输入电流的大电流给待测光耦通电一段时间进行老化；

电流源施加第二输入电流给待测光耦的输入端，电压源施加第二电压给待测光耦的输出端且测量第二导通电流，具有运算功能的电路计算第二导通电流与第二输入电流之间的电流传输比CTR2并记录；

比较CTR1和CTR2的衰减百分比变化量达到筛选目的。

2.根据权利要求1所述的检测光耦发光侧漏点硅胶缺陷的方法，其特征在于，所述比较CTR1和CTR2的衰减百分比变化量5%为良品，衰减百分比变化量≥5%为不良品。

3.根据权利要求2所述的检测光耦发光侧漏点硅胶缺陷的方法，其特征在于，所述电流源施加大于第一输入电流的大电流给待测光耦通电一段时间进行老化，包括：电流源施加10倍第一输入电流的大电流给待测光耦通电一段时间进行老化。

4.根据权利要求3所述的检测光耦发光侧漏点硅胶缺陷的方法，其特征在于，在所述电流源施加10倍第一输入电流的大电流给待测光耦通电一段时间进行老化的前后，包括：前后施加给待测光耦的第一输入电流和第二输入电流的值大小是一致的、前后施加给待测光耦的第一电压和第二电压的值大小是一致的以及前后环境温度是一致的。

5.根据权利要求1所述的检测光耦发光侧漏点硅胶缺陷的方法，其特征在于，所述比较CTR1和CTR2的衰减百分比变化量达到筛选目的，包括：采用具有运算功能的电路计算每组CTR1和CTR2的衰减百分比变化量，通过直观数值判断衰减百分比变化量的大小达到筛选目的。

6.一种检测光耦发光侧漏点硅胶缺陷的装置，其特征在于，包括：

电流源模块，用于施加第一输入电流和第二输入电流给待测光耦的输入端，以及施加大于第一输入电流的大电流给待测光耦通电进行老化；

电压源模块，用于施加第一电压和第二电压给待测光耦的输出端，并在施加第一输入电流和第一电压时测量第一导通电流，在施加第二输入电流和第二电压时测量第二导通电流；

运算电路模块，用于计算老化前后的电流传输比和衰减百分比变化量，并通过比较衰减百分比变化量达到筛选目的。

7.根据权利要求6所述的检测光耦发光侧漏点硅胶缺陷的装置，其特征在于，所述电流源模块的两端分别与待测光耦的输入端两个管脚连接，所述电压源模块的两端分别与待测光耦的输出端两个管脚连接，所述运算电路模块的两端分别与待测光耦的输入端和输出端连接，以计算老化前后的电流传输比和衰减百分比变化量。

8.根据权利要求7所述的检测光耦发光侧漏点硅胶缺陷的装置，其特征在于，所述运算电路模块、电流源模块和电压源模块集成在一测试仪器中。

9.根据权利要求7所述的检测光耦发光侧漏点硅胶缺陷的装置，其特征在于，所述运算电路模块、电流源模块和电压源模块为分开独立的电路形式。

10.一种检测光耦发光侧漏点硅胶缺陷的设备，包括电源模块、接口电路模块，其特征在于，还包括存储器和处理器，电源模块通过接口电路模块与处理器连接，处理器与存储器连接，所述存储器存储有程序，所述程序被所述处理器执行时，使得所述处理器执行如权利要求1至5中任一项所述方法的步骤。