[发明专利]高纯相多层V2 在审
申请号: | 202110667394.6 | 申请日: | 2021-06-16 |
公开(公告)号: | CN113401905A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 高红;张训鹏;肖钧鹏;姚静;马新志 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨师范大学 |
主分类号: | C01B32/914 | 分类号: | C01B32/914;H01M4/587;H01M10/0525 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 李红媛 |
地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高纯 多层 base sub | ||
1.高纯相多层V2C材料的制备方法,其特征在于该制备方法按照以下步骤实现:
一、将0.6~1g V2AlC粉体放入40~60mL质量浓度为30%~50%的HF水溶液中,在室温下搅拌反应240~288小时,得到反应液;
二、将步骤一得到的反应液采用离心机在5000r/min~12000r/min下进行反复离心并且加入去离子水清洗,反复多次,离心清洗直至上清液的pH值为5~7,收集固相沉淀物;
三、对步骤二得到的固相沉淀物进行干燥处理,得到高纯相多层V2C材料。
2.根据权利要求1所述的高纯相多层V2C材料的制备方法,其特征在于步骤一中所述V2AlC粉体颗粒大小为200目。
3.根据权利要求1所述的高纯相多层V2C材料的制备方法,其特征在于步骤一中V2AlC粉体的质量与HF水溶液的体积比为1g:52~58mL。
4.根据权利要求1所述的高纯相多层V2C材料的制备方法,其特征在于步骤一中将0.8gV2AlC粉体放入40~50mL质量浓度为30%~50%的HF水溶液中。
5.根据权利要求1所述的高纯相多层V2C材料的制备方法,其特征在于步骤一中在室温下搅拌反应250~270小时。
6.根据权利要求1所述的高纯相多层V2C材料的制备方法,其特征在于步骤二中采用离心机在7000r/min~9000r/min下进行反复离心。
7.根据权利要求1所述的高纯相多层V2C材料的制备方法,其特征在于步骤二中每次离心的时间为5分钟。
8.根据权利要求1所述的高纯相多层V2C材料的制备方法,其特征在于步骤二中反复6~8次。
9.根据权利要求1所述的高纯相多层V2C材料的制备方法,其特征在于步骤三中固相沉淀物进行真空干燥处理,真空干燥温度为60℃,干燥时间为12h。
10.高纯相多层V2C材料的应用,其特征在于将高纯相多层V2C材料作为负极材料应用于锂离子电池中。
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