[发明专利]激光直写光刻机制作的三维微纳形貌结构在审
| 申请号： | 202110667771.6 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113515021A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 陈林森;浦东林;张瑾;朱鸣;朱鹏飞;乔文;朱昊枢;刘晓宁;邵仁锦;杨颖 | 申请（专利权）人： | 苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G06T17/00 |
| 代理公司： | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 光刻 机制 三维 形貌 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种激光直写光刻机制作的三维微纳形貌结构，其特征在于，其包括:
基体；
形成于所述基体上的至少一个三维微纳形貌单元，其中每个三维微纳形貌单元包括至少一个视觉高点，所述每个三维微纳形貌单元包括复数个从视觉高点开始斜坡形貌斜率按预设规律变化的环带。
2.根据权利要求1所述的三维微纳形貌结构，其特征在于，所述三维微纳形貌单元中斜坡形貌的深度相同，斜坡形貌的周期从视觉高点开始逐渐减少；或斜坡形貌的周期相同，斜坡形貌的深度从视觉高点开始逐渐增加；或斜坡形貌的周期和深度都按设定规律变化，使得斜率从视觉高点开始逐渐增加。
3.根据权利要求2所述的三维微纳形貌结构，其特征在于，
所述斜坡形貌的周期在1μm-100μm范围内，所述斜坡形貌的深度在0.5μm-30μm范围内，所述斜坡形貌的倾斜面与平面形成的夹角变化范围为0度-45度。
4.根据权利要求1所述的三维微纳形貌结构，其特征在于，所述视觉高点处的斜坡形貌的斜率最小，多个三维形貌单元叠加设置或平铺设置。
5.根据权利要求1所述的三维微纳形貌结构，其特征在于，所述斜坡形貌为台阶形，线性斜坡、曲线形斜坡中的一个或多个的组合。
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