[发明专利]一种反向电动势主动泄放保护电路及主动灭弧方法在审

专利信息
申请号: 202110668181.5 申请日: 2021-06-16
公开(公告)号: CN113285436A 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 赵佩云;朱忠芳;朱蝶;郑瑞象 申请(专利权)人: 浙江南晶电气有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H02H9/08;H02H7/09
代理公司: 温州冠天知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33346 代理人: 吴冲般
地址: 325000 浙江省温州市温*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 反向 电动势 主动 保护 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种反向电动势主动泄放保护电路,其特征在于:包括有信号处理电路、泄放驱动电路、放电电阻和极性切换电路,所述放电电阻的一端电连接所述极性切换电路,另一端电连接所述泄放驱动电路,所述极性切换电路和所述信号处理电路均电连接所述泄放驱动电路,所述极性切换电路设有用于并联直流负载的两个泄放接口,所述信号处理电路输出用于控制直流负载的负载驱动信号和用于控制所述泄放驱动电路的泄放控制信号。

2.根据权利要求1所述的一种反向电动势主动泄放保护电路,其特征在于:所述极性切换电路采用整流电路,所述信号处理电路采用处理器。

3.根据权利要求2所述的一种反向电动势主动泄放保护电路,其特征在于:所述泄放驱动电路包括第一NMOS管、第二电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、稳压管和光电耦合器,所述整流电路的正输出端电连接所述放电电阻的一端,负输出端电连接所述第一NMOS管的S极,所述第一NMOS管的D极和所述第二电阻的一端均电连接所述放电电阻的另一端,第二电阻的另一端电连接所述稳压管的负极,所述第五电阻的一端和所述第一电容的一端均电连接所述第一NMOS管的G极,所述稳压管的正极、所述第五电阻的另一端和所述第一电容的另一端均电连接所述第一NMOS管的S极,所述光电耦合器的第一输入引脚电连接所述第四电阻的一端,第四电阻的另一端电连接所述处理器的输出端,光电耦合器的第二输入引脚接地,所述光电耦合器的第一输出引脚电连接所述稳压管的负极,光电耦合器的第二输出引脚电连接所述第一NMOS管的G极。

4.根据权利要求3所述的一种反向电动势主动泄放保护电路,其特征在于:所述整流电路采用整流桥堆。

5.根据权利要求4所述的一种反向电动势主动泄放保护电路,其特征在于:所述光电耦合器采用LTV-357T。

6.一种基于权利要求1-5任一项所述反向电动势主动泄放保护电路的应用电路,其特征在于:还包括有负载控制电路,所述负载控制电路包括有普通继电器,普通继电器具有继电器线圈和继电器触点,所述信号处理电路输出负载驱动信号通断所述继电器线圈,所述直流负载的两端分别电连接所述极性切换电路的两个泄放接口,所述直流负载还串联有所述继电器触点。

7.根据权利要求6所述的一种应用电路,其特征在于:所述直流负载为高压直流电机,所述负载控制电路包括有第一普通继电器和第二NMOS管,所述第一普通继电器具有第一继电器线圈和第一继电器触点,第一继电器触点为常开触点,所述第一继电器线圈的一端接入DC12V,另一端电连接所述第二NMOS管的D极,第二NMOS管的S极接地,第二NMOS管的G极电连接所述信号处理电路的输出端,所述高压直流电机的正接线端电连接DC220V电源正极,高压直流电机的负接线端电连接所述第一继电器触点的一端,第一继电器触点的另一端电连接DC220V电源负极。

8.一种基于权利要求3-5任一项所述反向电动势主动泄放保护电路的主动灭弧方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)处理器收到来自外部的负载关断请求时处理器输出泄放控制信号;

(2)延时,待第一NMOS管导通,第一NMOS管导通后使第一NMOS管、放电电阻与整流电路、直流负载形成放电回路;

(3)处理器输出负载驱动信号控制开关或继电器关断负载,延时等待放电结束;

(4)处理器终止输出泄放控制信号,第一NMOS管截止断开放电回路,完成负载关断动作。

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