[发明专利]氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110669326.3 申请日: 2021-06-16
公开(公告)号: CN113410192B 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 伊晓燕;林辰;詹腾;刘志强;王军喜;李晋闽 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/492;H01L25/16;H01L29/872;H01L23/64;H01L33/00;H01L21/329
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 鄢功军
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 氮化 石墨 混合 集成 光电 芯片 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法,该光电芯片包括芯片主体和覆盖在芯片主体上的钝化层;芯片主体包括衬底,第一线圈金属层、肖特基二极管、发光二极管、电容下电极金属层、底金属层、肖特基接触金属层均设置在衬底上;肖特基接触金属层延伸至肖特基二极管上表面;电容下电极金属层延伸至肖特基二极管表面;电容下电极金属层与电容上电极金属层之间设置第一介质隔离层;电容上电极金属层延伸至发光二极管上表面;底金属层延伸至发光二极管的上表面;衬底上的底金属层上设置第二介质隔离层;第二线圈金属层设置在第二介质隔离层上,并与底金属层连接;第一线圈金属层、电容上电极金属层、底金属层、第二线圈金属层上均设置石墨烯层。

技术领域

本发明涉及光电芯片领域,具体涉及一种氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法。

背景技术

光遗传学最早通过光纤耦合激光光源为体内或体外活体提供光刺激,但由于光纤有线连接对动物行为的约束限制,以及群体性实验中光纤会缠绕、打结的问题。神经科学家们一直致力于开发新型的采用无线能量传输方式供电的光电装置和器件,以LED(发光二极管)直接作为光源或者LED耦合光纤或波导的方式是光遗传学的主要选择。LED便宜、寿命长。相比激光器,成本低得多,散射角也更大。且LED的发光波长可以从红外到紫外覆盖整个可见光波段,神经科学家们总能找到合适他们的那款。更重要的是,LED能实现ms级脉冲开关,适合于快速的神经反应。但是目前大部分神经科学家由于使用的仍然是商用的LED,比单个神经元大不少,可定制化程度低,想要实现单个神经元的光刺激难度大,形成光刺激阵列就更加困难了,限制了对神经回路的研究。

针对光源优化的同时,科学家们对供电电路和系统也进行了不断的优化,追求更小更轻的外接装置以减小对动物的负担,进一步的将整个光电器件全部植入体内,摆脱体外束缚的困扰。对于后者来说,就要求更小的器件面积。但是大部分目前用的体内植入器件都是由封装级、贴片式的商用电子元器件组成电路,最小尺寸受到器件大小的限制,因此更好的选择是制作更微型的集成芯片式电路,最小面积可达毫米级。但是大幅度缩小的面积会对片上电感、电容、二极管、电阻还有器件的散热等有更高的要求。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供了一种氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法,以期至少部分地解决上述技术问题。

作为本发明的一个方面,本发明实施例提供了一种氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片,包括:芯片主体和钝化层,上述钝化层覆盖在上述芯片主体上;其中,上述芯片主体包括衬底、第一线圈金属层、肖特基接触金属层、肖特基二极管、电容下电极金属层、第一介质隔离层、第二介质隔离层、电容上电极金属层、发光二极管、底金属层、第二线圈金属层、石墨烯层;上述第一线圈金属层、上述肖特基二极管、上述发光二极管均设置在上述衬底上;上述肖特基接触金属层设置在上述第一线圈金属层与上述肖特基二极管之间的上述衬底上,并延伸至上述肖特基二极管上表面,上述肖特基接触金属层与上述第一线圈金属层的末端连接;上述电容下电极金属层设置在上述衬底上,并延伸至上述肖特基二极管表面;在上述衬底上设置上述电容下电极金属层,上述电容下电极金属层上设置上述第一介质隔离层;上述电容上电极金属层设置在上述第一介质隔离层上,并延伸至上述发光二极管上表面;上述底金属层设置在衬底上,并延伸至上述发光二极管的上表面;在上述衬底上设置有上述底金属层上,上述底金属层上设置上述第二介质隔离层;上述第二介质隔离层上设置上述第二线圈金属层,上述第二线圈金属层的末端与上述底金属层连接;上述第一线圈金属层、上述电容上电极金属层、上述底金属层、上述第二线圈金属层上均设置上述石墨烯层。

根据本发明实施例,上述钝化层的材料包括柔性材料层。

根据本发明实施例,上述柔性材料层包括聚对苯二甲酸乙二醇酯层、聚酰亚胺层、聚对二甲苯层、聚氨酯层、聚二甲基硅氧烷层、共聚酯层、嵌段共聚物层、光刻胶层中的一种或多种。

根据本发明实施例,上述衬底包括硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底中的一种或多种。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110669326.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top