[发明专利]发光器件、发光器件的制造方法及显示面板有效
| 申请号： | 202110669339.0 | 申请日： | 2021-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN113410411B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 苏圣勋;刘强;李灏;刘亚伟;杜哲 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H10K50/822 | 分类号： | H10K50/822;H10K59/131 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 制造 方法 显示 面板 | ||
1.一种发光器件(100)，其特征在于，包括：
基板(10)；
发光器件层(20)，所述发光器件层(20)位于所述基板(10)的一侧且包括多个间隔设置的像素单元；
第一阴极金属层(30)，所述第一阴极金属层(30)位于所述发光器件层(20)远离所述基板(10)的一侧；
金属抑制层(50)，所述金属抑制层(50)位于所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧，且所述金属抑制层(50)开设有第一开口(52)；
第二阴极金属层(60)，所述第二阴极金属层(60)位于所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧并至少部分位于所述第一开口(52)内，所述第二阴极金属层(60)与所述第一阴极金属层(30)导通，所述第二阴极金属层(60)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于各所述像素单元在所述第一阴极金属层(30)上的正投影之间；
其中，所述发光器件(100)还包括金属覆盖层(40)，所述金属覆盖层(40)位于所述金属抑制层(50)和所述第一阴极金属层(30)之间，所述金属覆盖层(40)开设有与所述第一开口(52)连通的第二开口(42)，所述第二阴极金属层(60)位于所述第一开口(52)和所述第二开口(42)共同形成的容纳空间内并与所述第一阴极金属层(30)导通，所述金属覆盖层(40)用于提高发光器件(100)的光萃取率。
2.根据权利要求1所述的发光器件(100)，其特征在于，所述金属抑制层(50)包括多个金属抑制单元(51)，相邻的两个金属抑制单元(51)之间形成所述第一开口(52)；
所述金属覆盖层(40)包括多个金属覆盖单元(41)，相邻的两个金属覆盖单元(41)之间形成所述第二开口(42)；
所述第二阴极金属层(60)包括多个阴极金属单元(61)，每个阴极金属单元(61)填充于一个所述容纳空间内。
3.根据权利要求2所述的发光器件(100)，其特征在于，每个所述金属抑制单元(51)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影与一个对应的金属覆盖单元(41)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影重合。
4.根据权利要求2所述的发光器件(100)，其特征在于，每个所述像素单元在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于一个对应的金属抑制单元(51)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影内。
5.根据权利要求1所述的发光器件(100)，其特征在于，所述第一阴极金属层(30)的厚度大于等于5nm，所述第二阴极金属层(60)的厚度大于等于5nm。
6.根据权利要求1所述的发光器件(100)，其特征在于，所述金属抑制层(50)的厚度大于等于3nm，所述金属覆盖层(40)的厚度大于等于3nm且小于等于100nm。
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