[发明专利]离子阱装置以及离子阱装置的鞍点移动方法

权利要求书

1.一种离子阱装置，其特征在于，包括：

绝缘基材，所述绝缘基材为凹面结构；

至少两段弧形金属反射电极，所述弧形金属反射电极覆盖在所述绝缘基材的正面，所述正面为内凹表面；每段所述弧形金属反射电极之间电气绝缘；

每段所述弧形金属反射电极用于接收频率相同、相位相同且幅度可调的射频电压；

至少两段所述弧形金属反射电极处于垂直所述绝缘基材的光轴的同一平面内，通过在每个弧形金属反射电极上施加相位相同、频率相同、振幅可调的射频电压，控制鞍点在三维方向移动。

2.根据权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，每段所述弧形金属反射电极还用于接收幅度可调的直流电压。

3.根据权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，所述离子阱装置还包括：多个接触电极，位于所述绝缘基材的背面，所述绝缘基材上设有通孔，每段弧形金属反射电极通过相应的通孔一一对应连接相应的接触电极。

4.根据权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，至少两段所述弧形金属反射电极相对所述绝缘基材的光轴对称。

5.根据权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，还包括：

至少一个环状金属反射电极，所述环状金属反射电极覆盖在所述绝缘基材的正面，与所述弧形金属反射电极电气绝缘；每个所述环状金属反射电极相对所述绝缘基材的光轴对称；每个所述环状金属反射电极用于接收频率相同、相位相同且幅度可调的射频电压，和/或，用于接收幅度可调的直流电压。

6.根据权利要求5所述的离子阱装置，其特征在于，所述离子阱装置还包括：多个接触电极，位于所述绝缘基材的背面，所述绝缘基材上设有通孔，每个所述环状金属反射电极通过所述绝缘基材上相应的通孔一一对应连接相应的接触电极。

7.根据权利要求5所述的离子阱装置，其特征在于，至少存在3个弧形金属反射电极处于第一平面，且至少存在1个环状金属反射电极处于第二平面；所述第一平面和第二平面垂直所述绝缘基材的光轴。

8.根据权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，所述凹面结构为抛物面、球面、柱面和椭球面中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，所述弧形金属反射电极的数量为4n段，每四段弧形金属反射电极为一组；n为大于等于1的正整数；

同组的多段弧形金属反射电极处于同一平面内且相对所述绝缘基材的光轴对称，所述平面垂直所述绝缘基材的光轴。

10.根据权利要求1所述的离子阱装置，其特征在于，至少存在3个弧形金属反射电极处于第一平面，且至少存在1个弧形金属反射电极处于第二平面；所述第一平面和第二平面垂直所述绝缘基材的光轴。

11.一种离子阱装置的鞍点移动方法，其特征在于，所述离子阱装置包括：绝缘基材，所述绝缘基材为凹面结构；至少两段弧形金属反射电极，所述弧形金属反射电极覆盖在所述绝缘基材的正面，所述正面为内凹表面；每段所述弧形金属反射电极之间电气绝缘；每段所述弧形金属反射电极用于接收频率相同、相位相同且幅度可调的射频电压；至少两段所述弧形金属反射电极处于垂直所述绝缘基材的光轴的同一平面内；所述方法包括：

通过在每个弧形金属反射电极上施加相位相同、频率相同、振幅可调的射频电压，控制鞍点在三维方向独立移动。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述通过在每个弧形金属反射电极上施加相位相同、频率相同、振幅可调的射频电压，控制所述鞍点在三维方向独立移动，包括：

通过在至少两段所述弧形金属反射电极上同时施加相位相同、频率相同、振幅增量相同的射频电压，控制所述鞍点在光轴方向上独立移动。