[发明专利]一种IGBT导通损耗测试电路及系统在审

专利信息
申请号: 202110671821.8 申请日: 2021-06-17
公开(公告)号: CN113203932A 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 于圣慧;姜明宝 申请(专利权)人: 吉林华微电子股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 代理人: 唐维虎
地址: 132000 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 损耗 测试 电路 系统
【权利要求书】:

1.一种IGBT导通损耗测试电路,其特征在于,包括:

脉冲信号单元、驱动单元、开关速度调节单元、待测单元、钳位电路和测试单元;

所述脉冲信号单元与所述驱动单元的一端连接,所述驱动单元的另一端与所述开关速度调节单元的一端连接,所述开关速度调节单元的另一端与待测单元连接,所述待测单元的另一端与所述钳位电路连接;

所述脉冲信号单元用于提供脉冲信号;

所述驱动单元用于放大所述脉冲信号,并将放大后的所述脉冲信号通过所述开关速度调节单元传输至所述待测单元以驱动所述待测单元;

所述开关速度调节单元用于控制所述待测单元的导通速度和关断速度;

所述钳位电路用于提供所述待测单元的低压检测环境;

所述测试单元与所述待测单元和所述钳位电路连接,所述测试单元用于测试所述待测单元的导通损耗。

2.根据权利要求1所述的IGBT导通损耗测试电路,其特征在于,所述脉冲信号单元包括时基电路芯片、第一电位器、第一开关、第一电容、第二电容和第三电容;

所述时基电路芯片分别与所述第一电位器、第一开关、第一电容、第二电容和第三电容连接;

所述第一电位器的一端与所述第一开关和所述第二电容连接;

所述第一电位器的另一端、所述第三电容和所述时基电路芯片分别与供电电压连接;

所述第一开关、所述第二电容和所述第三电容远离所述第一电位器的一端接地,所述第一电容远离所述时基电路芯片的一端接地。

3.根据权利要求2所述的IGBT导通损耗测试电路,其特征在于,所述时基电路芯片包括接地端、触发输入端、输出端、复位端、控制电压端、阈值端和电源正端;

所述接地端与地连接;

所述触发输入端与所述第一电位器、所述第一开关和所述第二电容的一端以及所述阈值端连接;

所述输出端与所述开关速度调节单元连接;

所述复位端、所述第一电位器的另一端、所述第三电容的一端以及所述电源正端与供电电压连接;

所述控制电压端与所述第一电容的一端连接。

4.根据权利要求1所述的IGBT导通损耗测试电路,其特征在于,所述驱动单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管;

所述第一电阻的一端与供电电压连接,另一端与所述第一三极管的基极连接;

所述第二电阻的一端与供电电压连接,另一端与所述第一三极管的集电极以及第二三极管的基极连接;

所述第三电阻的一端与供电电压连接,另一端与所述第二三极管的集电极、所述第三三极管的基极以及所述第四三极管的基极连接;

所述第三三极管的集电极与供电电压连接;

所述第三三极管的发射极以及所述第四三极管的发射极分别与所述开关速度连接单元连接;

所述第一三极管的发射极、所述第二三极管的发射极和所述第四三极管的集电极接地,所述第一三极管的基极与所述脉冲信号单元连接;

所述第四电容的一端与供电电压连接,另一端接地。

5.根据权利要求1所述的IGBT导通损耗测试电路,其特征在于,所述开关速度调节单元包括第四电阻、第五电阻和第一二极管;

所述第四电阻与所述第一二极管串联;

所述第五电阻与所述第四电阻以及所述第一二极管并联;

所述第五电阻的一端与所述第四电阻的一端与所述驱动单元连接;

所述第五电阻的另一端与所述第一二极管与所述待测单元连接。

6.根据权利要求1所述的IGBT导通损耗测试电路,其特征在于,所述待测单元包括待测管、第二电位器、第六电阻和第五电容;

所述待测管的基极与所述开关速度调节单元连接;

所述待测管的集电极、所述第二电位器的一端以及所述第五电容的一端与所述钳位电路连接;

所述待测管的发射极与所述第六电阻的一端接地;

所述第六电阻的另一端与所述第五电容的另一端连接;

所述第二电位器的另一端与高压供电电压连接。

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