[发明专利]用于微波辐射所致学习记忆功能障碍的靶标lncRNA：MSTRG.27033.1

权利要求书

1.一种微波辐射所致学习记忆功能障碍的靶标，其特征在于，包括下列序列的至少之一：

1)SEQ ID NO:1所示的RNA序列；

2)与1)具有至少70％同一性的RNA序列，优选地，具有至少80％同一性的RNA序列，优选地，具有至少85％同一性的RNA序列，优选地，具有至少90％同一性的RNA序列，优选地，具有至少95％同一性的RNA序列，更优选地，具有至少99％同一性的RNA序列。

2.lncRNA：MSTRG.27033.1作为微波辐射所致学习记忆功能障碍的靶标的用途；

任选地，所述微波辐射的辐射强度为10mW/cm²，辐射波段为L波段、C波段、或L和C波段微波复合，辐射时间为6min。

3.根据权利要求2所述的用途，其特征在于，所述微波辐射致学习记忆功能障碍包括大鼠水迷宫的平均逃避潜伏期延长、脑电活动异常、神经元核皱缩呈梭形。

4.一种检测学习记忆功能障碍的方法，其特征在于，包括：

1)将神经元细胞进行微波辐射处理；

2)基于微波辐射处理后所述神经元细胞中所述lncRNA：MSTRG.27033.1的含量，确定微波辐射是否引起学习记忆功能障碍。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，微波辐射处理后所述神经元细胞中所述lncRNA：MSTRG.27033.1的含量高于微波辐射处理前所述神经元细胞中所述lncRNA：MSTRG.27033.1的含量，是微波辐射致学习记忆功能障碍的指示；

任选地，所述神经元细胞为海马神经元细胞；

任选地，所述神经元细胞定位于胞浆；

任选地，所述神经元细胞是以神经组织的形式提供的；

任选地，所述微波辐射处理是在微波辐射强度为10mW/cm²，辐射波段为L波段、C波段、L和C波段微波复合的条件下进行6min；

优选地，基于微波辐射处理后恢复6h后所述神经元细胞中所述lncRNA：MSTRG.27033.1的含量，确定微波辐射是否引起学习记忆功能障碍；

任选地，所述微波辐射致学习记忆功能障碍包括大鼠水迷宫的平均逃避潜伏期延长、脑电活动异常、神经元胞体皱缩呈梭形。

6.一种筛选药物的方法，所述药物用于减轻微波辐射致学习记忆功能障碍或用于微波辐射致学习记忆功能障碍修复的药物的方法，其特征在于，包括：

1)将神经元细胞进行微波辐射处理；

2)将待筛选药物用于进行微波辐射处理后的神经元细胞；

3)比较用药前后的微波辐射处理后的所述神经元细胞中所述lncRNA：MSTRG.27033.1的含量，确定微波辐射是否引起学习记忆功能障碍。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，用药后的微波辐射后所述lncRNA：MSTRG.27033.1的表达水平低于用药前的微波辐射后的所述lncRNA：MSTRG.27033.1的表达水平，是待测药物为目标药物的指示。

8.试剂在制备药物中的用途，所述药物用于减轻微波辐射致学习记忆功能障碍或用于微波辐射致学习记忆功能障碍修复，所述试剂用于下调lncRNA：MSTRG.27033.1。

9.一种减轻微波辐射致学习记忆功能障碍或用于微波辐射致学习记忆功能障碍修复的药物组合物，其特征在于，包括：试剂，所述试剂用于下调lncRNA：MSTRG.27033.1。