[发明专利]表面涂覆纳米氧化硅涂层的高阻隔纸张及其制作工艺

权利要求书

1.一种表面涂覆纳米氧化硅层的高阻隔纸张，包括基体纸（1），和至少一面的纳米氧化硅涂层（2），其特征在于：所述纳米氧化硅涂层（2）厚度1～1000 nm，作为阻隔层，以C-O-Si化学键结合于基体纸（1）表面。

2.根据权利要求1所述的表面涂覆纳米氧化硅层的高阻隔纸张，其特征在于：所述基体纸（1）为柔性纸张，厚度为1～500μm。

3.根据权利要求1所述的表面涂覆纳米氧化硅层的高阻隔纸张，其特征在于：所述纳米氧化硅涂层（2）厚度50～100 nm。

4.根据权利要求1所述的表面涂覆纳米氧化硅层的高阻隔纸张，其特征在于：所述基体纸（1）为纤维纸、复合纸、铜版纸、塑胶纸、包装纸、新闻出版纸、木质纤维纸、淋膜纸、涂覆纸。

5.制作如上述权利要求1-4任一所述表面涂覆纳米氧化硅层的高阻隔纸张的工艺，其特征在于，包括如下步骤：

A. 将基体纸置于等离子体环境中，通入放电气体Ar或N₂，或二者以任意比混合；

B. 输入氧化硅或硅单体，放电气体与氧化气体在等离子体环境中进行物理或化学气相沉积反应，在基体纸表面沉积厚度为1～1000nm的纳米氧化硅层，以SiO_x表述，其中x=1.8～2 .4之间，所述纳米氧化硅层中含有C和H。

6.根据权利要求5所述的表面涂覆纳米氧化硅层的高阻隔纸张的制作工艺，其特征在于：步骤A所述等离子体环境包括但不限于电子束、离子束、电容耦合、电感耦合、电子回旋共振、介质阻挡放电。

7.根据权利要求5所述的表面涂覆纳米氧化硅层的高阻隔纸张的制作工艺，其特征在于：步骤B所述氧化硅为SiO或SiO₂。

8.根据权利要求5所述的表面涂覆纳米氧化硅层的高阻隔纸张的制作工艺，其特征在于：步骤B所述硅单体为硅烷、三甲基硅烷、四甲基二硅氧烷、六甲基二硅氧烷、八甲基四硅氧烷。

9.根据权利要求5所述的表面涂覆纳米氧化硅层的高阻隔纸张的制作工艺，其特征在于：步骤B所述氧化气体为O₂, N₂O, CO₂。