[发明专利]一种滤波器及提高滤波器性能的方法、电子设备在审
申请号: | 202110673412.1 | 申请日: | 2021-06-17 |
公开(公告)号: | CN115498976A | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 李娜;庞慰;蔡华林 | 申请(专利权)人: | 诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H9/54;H03H7/01 |
代理公司: | 北京君泊知识产权代理有限公司 11496 | 代理人: | 周倩 |
地址: | 300457 天津市滨*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 滤波器 提高 性能 方法 电子设备 | ||
1.一种滤波器,其特征在于,所述滤波器包括电容器和电感器组成的LC滤波电路,所述LC滤波电路包括多个谐振结构,
至少一个谐振结构被配置为混合谐振结构,所述混合谐振结构通过将所述LC滤波电路中指定位置的谐振结构的电容器替换成声学谐振器实现,以使所述混合谐振结构可提高所述滤波器左侧或右侧滚降,
其中,所述指定位置通过所述LC滤波电路中各个谐振结构的电感器的感值和电容器的容值确定,所述声学谐振器具有预先确定的谐振频率。
2.如权利要求1所述的滤波器,其中,所述指定位置的谐振结构的电感器的感值和电容器的容值满足预设条件,
所述满足预设条件包括如下中的一种:
所述电感器的感值和所述电容器的容值满足
所述电感器的感值和所述电容器的容值满足
其中,C表示所述电容器的容值,L表示所述电感器的感值,Fpleft表示所述滤波器通带左侧边沿频点,Fpright表示所述滤波器通带右侧边沿频点。
3.如权利要求2所述的滤波器,其中,所述电感器的感值和所述电容器的容值满足的谐振结构在所述LC滤波电路中位于第一指定位置,
所述第一指定位置配置所述混合谐振结构后,所述混合谐振结构用于提高所述滤波器左侧滚降。
4.如权利要求2所述的滤波器,其中,所述电感器的感值和所述电容器的容值满足的谐振结构在所述LC滤波电路中位于第二指定位置,
所述第二指定位置配置所述混合谐振结构后,所述混合谐振结构用于提高所述滤波器右侧滚降。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的滤波器,其中,所述混合谐振结构为所述声学谐振器和电感器串联连接的串联谐振结构,或
所述声学谐振器和电感器并联连接的并联谐振结构。
6.如权利要求1-4中任意一项所述的滤波器,其中,所述滤波器为低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器中的一种。
7.如权利要求1所述的滤波器,其中,所述声学谐振器为BAW谐振器或SAW谐振器。
8.如权利要求1所述的滤波器,其中,所述声学谐振器的谐振频率通过所述滤波器的滚降待提高处的频点确定。
9.一种提高滤波器性能的方法,其特征在于,所述滤波器包括电容器和电感器组成的LC滤波电路,所述LC滤波电路包括多个谐振结构,所述方法包括:
通过所述LC滤波电路中各个谐振结构的电感器的感值和电容器的容值,在所述LC滤波电路中确定至少一个指定位置,
将所述指定位置的谐振结构的电容器替换成声学谐振器,配置形成混合谐振结构,以使在所述指定位置配置所述混合谐振结构后,所述混合谐振结构可提高所述滤波器左侧或右侧滚降,
其中,所述声学谐振器具有预先确定的谐振频率。
10.如权利要求9所述的方法,其中,所述通过所述LC滤波电路中各个谐振结构的电感器的感值和电容器的容值,在所述LC滤波电路中确定至少一个指定位置,包括如下中的一种:
当所述谐振结构的电感器的感值和电容器的容值满足时,将所述谐振结构在所述LC滤波电路中所处的位置确定为所述指定位置;
当所述谐振结构的电感器的感值和电容器的容值满足时,将所述谐振结构在所述LC滤波电路中所处的位置确定为所述指定位置;
其中,C表示所述电容器的容值,L表示所述电感器的感值,Fpleft表示所述滤波器通带左侧边沿频点,Fpright表示所述滤波器通带右侧边沿频点。
11.如权利要求10所述的方法,其中,所述电感器的感值和所述电容器的容值满足的谐振结构在所述LC滤波电路中位于第一指定位置,
所述方法还包括:在所述第一指定位置配置所述混合谐振结构后,将所述混合谐振结构用于提高所述滤波器左侧滚降。
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