[发明专利]一种低损耗理想二极管

权利要求书

1.一种低损耗理想二极管,其特征在于,所述二极管包括控制IC、电容C1、增强型MOSFET，控制IC的电源管脚VIN连接增强型MOSFET的源端，并作为整流器的阳极，控制IC的电荷泵引脚CPO通过电容C1连接MOSFET的源端，控制IC的驱动管脚Gate连接增强型MOSFET的栅端，控制IC的管脚OUT连接MOSFET的漏端，作为整流器的阴极和输出。

2.根据权利要求1所述的一种低损耗理想二极管，其特征在于，所述控制IC内部包括比较器CMP1、比较器CMP2、运放AMP、电平转换模块、LDO/BIAS/UVLO模块、ChargePump模块，NMOS管N1以及PMOS管P1，ChargePump模块的CPO引脚连接电容C1，在CPO引脚与阳极电压VIN之间存在一稳压管DZ，比较器CMP1、比较器CMP2及运放AMP的两输入端分别接阳极电压VIN和阴极电压VOUT，比较器CMP1和比较器CMP2的输出端连接电平转换模块，电平转换模块连接NMOS管N1和PMOS管P1，所述电平转换模块用于将两个比较器输出的高低电平VCC和GND转换成高低电平CPO和VIN，NMOS管N1和PMOS管P1为IC的驱动管，PMOS管P1的源端接CPO电压，NMOS管N1的源端接VIN电压。

3.根据权利要求2所述的一种低损耗理想二极管,其特征在于,所述阴极电压VOUT与阳极电压VIN的差值等于25mV。

4.根据权利要求2所述的一种低损耗理想二极管,其特征在于,经比较器CMP1，当整流器的阴极电压VOUT低于阳极电压VIN-75mV的值，则控制上拉PMOS管P1对Gate管脚快速上拉，经比较器CMP2，当整流器的阴极电压VOUT-25mV的值高于阳极电压VIN，则控制下拉NMOS管N1对Gate管脚快速下拉。

5.根据权利要求3或4所述的一种低损耗理想二极管，其特征在于，所述稳压管DZ的电压值为5~7V。

6.根据权利要求5所述的一种低损耗理想二极管,其特征在于,所述ChargePump模块包括五组环形反向器,五组环形反向器连接电容器，经电容器连接一组串联二极管，串联二极管连接PMOS管P2和PMOS管P3，PMOS管P2和PMOS管P3接NMOS管N2和NMOS管P3。

7.根据权利要求6所述的一种低损耗理想二极管，其特征在于，偏置电流Ib经过NMOS和PMOS电流镜后，在CPO管脚得到一路固定的电流源。