[发明专利]可控硅结构

说明书

本申请提供的可控硅结构，涉及半导体技术领域。在本申请中，可控硅结构包括电极结构和半导体结构，电极结构与半导体结构电连接。半导体结构包括至少一层N型半导体材料层和至少一层P型半导体材料层。其中，至少一层N型半导体材料层和至少一层P型半导体材料层中的至少一层为目标半导体层，目标半导体层包括依次分布的掺杂浓度不同和/或掺杂元素不同的多个子区域。基于上述结构设计，可以改善现有的可控硅结构中存在的动态特性不佳的问题。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种可控硅结构。

背景技术

可控硅作为重要的功率半导体器件，应用范围在不断的扩展。其中，在较多的应用环境中，对可控硅的性能要求会较高。但是，经发明人研究发现，在现有的可控硅结构中，存在着动态特性不佳的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种可控硅结构，以改善现有的可控硅结构中存在的动态特性不佳的问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

一种可控硅结构，包括电极结构和半导体结构，所述电极结构与所述半导体结构电连接，所述半导体结构包括：

至少一层N型半导体材料层；

至少一层P型半导体材料层；

其中，所述至少一层N型半导体材料层和所述至少一层P型半导体材料层中的至少一层为目标半导体层，所述目标半导体层包括依次分布的掺杂浓度不同和/或掺杂元素不同的多个子区域。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述至少一层N型半导体材料层包括第一半导体层和第四半导体层，所述至少一层P型半导体材料层包括第二半导体层和第三半导体层；

其中，所述第二半导体层位于所述第一半导体层的一侧，所述第三半导体层位于所述第一半导体层远离所述第二半导体层的一侧，所述第四半导体层位于所述第二半导体层远离所述第一半导体层的一侧。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述至少一层N型半导体材料层还包括第五半导体层，所述第五半导体层位于所述第三半导体层远离所述第一半导体层的一侧。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述第二半导体层和所述第三半导体层分别为所述目标半导体层。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述第四半导体层和所述第五半导体层分别为所述目标半导体层。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述第二半导体层、所述第三半导体层、所述第四半导体层和所述第五半导体层分别为所述目标半导体层。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，在所述半导体结构包括的多层半导体材料层依次堆叠的方向上，每一层所述目标半导体层包括多个依次层叠分布且掺杂浓度不同和/或掺杂元素不同的子区域。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，在所述半导体结构包括的多层半导体材料层依次堆叠的方向上，每一层所述目标半导体层包括多个依次层叠分布且掺杂浓度依次增加或减少的子区域。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述至少一层N型半导体材料层和所述至少一层P型半导体材料层依次堆叠之后在堆叠方向上的两个表面中至少包括一个目标表面：

其中，所述目标表面包括阳极区域和阴极区域，所述阳极区域和所述阴极区域分别与所述电极结构接触，所述阳极区域在进行重掺杂处理之后与所述电极结构形成欧姆接触，所述阴极区域未进行重掺杂处理。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述可控硅结构中，所述目标表面还包括隔离区域，所述隔离区域未进行重掺杂处理。