[发明专利]一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法

说明书

本发明属于苔藓植物扩繁培养技术领域，具体涉及一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法。首先，本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基，所述培养基以Beneck培养基为基础培养基，以蔗糖为碳源，添加植物激素IBA或2，4‑D 0.5‑2.5mg/L、琼脂8‑10g/L制成。其次，本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁方法，包括：(1)用0.05‑0.1％HgCl₂对卷叶墙藓外植体表面进行处理；(2)将消毒处理后的卷叶墙藓外植体接种在所述的培养基上进行培养。本发明填补现有技术中卷叶墙藓配子体扩繁技术领域的空白，实现了人工大量快速扩繁卷叶墙藓配子体，为卷叶墙藓生物学特性研究奠定了基础。

技术领域

本发明属于苔藓植物的扩繁培养技术领域，具体涉及一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法。

背景技术

苔藓植物的植株体较小，叶片大都为单层细胞并且没有分化形成纤纤管组织，这使得对于苔藓植物的配子体体外培养难度较大。国内外关于苔藓植物的组织培养研究，大多是通过野外大量采集或使用孢子体作为外植体进行人工体外扩繁，但是，大量野外采挖会严重破坏自然和生态环境，采集成本高；孢子繁殖由于环境和季节等因素的影响，孢子收集难、孢子萌芽率低等问题突出，仅有营养繁殖或只产生少量孢子体很难开展苔藓植物体外培养研究。使用配子体作为外植体对苔藓植物进行体外扩繁，能够为苔藓植物的相关生物学特性研究提供大量的实验材料。

卷叶墙藓隶属于丛藓科(Pottiaceae)墙藓属(Tortula)，分布于亚洲、欧洲、北美洲、墨西哥、南美洲、非洲、澳大利亚、大西洋群岛和太平洋群岛。卷叶墙藓植物体为深绿色或棕绿色，密集丛生，高3～5mm，茎直立，单一或稀疏分支；叶在干燥时卷缩，潮湿时直立伸展，中肋粗壮，突出叶尖呈短尖，中肋腹面具大型凸起细胞；蒴柄伸出苞叶，孢蒴长卵形，蒴盖具短喙。

卷叶墙藓一般生长在海拔1200m左右油松林、灌木丛下岩面薄土，其有助于岩石表面土层的形成，最终形成适合维管植物生存的生境。此外其还是典型的喜钙植物，具有极强的抗旱性，可以用作植物钙胁迫及抗旱性研究的材料。对其进行体外培养不仅可以解决实际应用中对材料的大量需求，还可以得到遗传背景单一的植物材料，为其在分子生物学方面的研究奠定基础，以及在发现新分类性状、保护珍稀类群和了解共生菌的功能等方面发挥重要作用。

目前虽然国内外做了很多关于苔藓植物的组织培养研究，但大多数使用孢子体作为外植体，而由于环境因素，仅有营养繁殖或只产生少量孢子体，很难开展体外培养研究。使用配子体作为外植体虽可以获得相应的实验材料，但是培养难度较大，目前还没有学者利用卷叶墙藓配子体进行扩繁的相关报道。

发明内容

针对上述技术问题，本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法，填补了现有卷叶墙藓的人工扩繁用技术的空白，实现人工大量快速扩繁卷叶墙藓配子体，为卷叶墙藓生物学特性研究提供实验材料。

本发明采用的技术方案如下：

第一方面，本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基，所述培养基以Beneck培养基为基础培养基，以蔗糖为碳源，添加植物激素0.5-2.5mg/L、琼脂8-10g/L制成；所述植物激素为IBA和/或2，4-D。

优选地，所述培养基中蔗糖浓度为15g/L。

优选地，所述培养基中琼脂的浓度为8g/L。

优选地，所述植物激素为IBA，所述培养基中IBA浓度为0.5-1.0mg/L。

优选地，所述植物激素为2，4-D，所述培养基中2，4-D的浓度为0.5-1.5mg/L。

第二方面，本发明提供了一种上述第一方面所述的培养基在卷叶墙藓的人工扩繁培养中的应用。