[发明专利]一种无运放带隙基准源

说明书

本发明涉及一种无运放带隙基准源，包括：PTAT电流产生电路、基准源输出电路和启动电路，其中，PTAT电流产生电路的输出端分别连接基准源输出电路的输入端和启动电路的输入端，PTAT电流产生电路用于产生与温度变化呈正相关的正温度系数电流；基准源输出电路用于产生和输出基准电压；启动电路的输出端分别连接PTAT电流产生电路的输入端和基准源输出电路的输入端，启动电路用于确保无运放带隙基准源的启动和工作。本发明的带隙基准源，在输入电压变化时，产生一个始终比输入电压低一个带隙电压的参考电压，可广泛应用在高压功率驱动电路中，而且该带隙基准源采用自偏置结构，内部电路不含运算放大器电路，大大降低了电路的功耗和复杂度。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种无运放带隙基准源。

背景技术

基准电压源是集成电路中不可或缺的基本构成模块，被广泛的应用在功率转换电路，高压驱动电路，模拟与数字转换器中，它的作用是为电路其它模块提供一个对温度，电源电压，工艺等弱相关的基准电压。目前的基准电压源产生的基准电压都是比地电平高一个带隙电压，约为1.2V。

但是在某些电路应用中，需要产生一个低于输入电源电压固定电压差的参考电压，常见的做法是用几个二极管连接方式的管子串联在输入电源上，通过这些管子的固定压降，产生一个比输入电压低的参考电压。但是通过这种方式产生的参考电压的缺点是：一是电源抑制比不高，随着输入电压变化时，该参考电压会产生较大变化；二是没有相应的温度补偿结构，导致该参考电压温度漂移系数较大。上述缺点会对后续电路的正常工作造成很大影响。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种无运放带隙基准源。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明提供了一种无运放带隙基准源，包括：PTAT电流产生电路、基准源输出电路和启动电路，其中，

所述PTAT电流产生电路的输出端分别连接所述基准源输出电路的输入端和所述启动电路的输入端，所述PTAT电流产生电路用于产生与温度变化呈正相关的正温度系数电流；

所述基准源输出电路用于产生和输出基准电压；

所述启动电路的输出端分别连接所述PTAT电流产生电路的输入端和所述基准源输出电路的输入端，所述启动电路用于确保所述无运放带隙基准源的启动和工作。

在本发明的一个实施例中，所述PTAT电流产生电路包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管，其中，

所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极均连接第一输入电源端，所述第一三极管的集电极连接其基极，基极连接所述第一MOS管的源极，所述第二三极管的集电极连接其基极，基极连接所述第一电阻的第一端；

所述第一MOS管的栅极分别连接其漏极和所述第二MOS管的栅极，所述第一MOS管的漏极连接所述第三MOS管的源极；

所述第一电阻的第二端连接所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管的漏极连接所述第四MOS管的源极；

所述第三MOS管的栅极分别连接其漏极和所述第四MOS管的栅极，所述第三MOS管的漏极连接所述第五MOS管的漏极；

所述第四MOS管的漏极分别连接所述第六MOS管的漏极、所述第六MOS管的栅极、所述基准源输出电路和所述启动电路；

所述第五MOS管的栅极连接所述第六MOS管的栅极，源极连接所述第七MOS管的漏极；

所述第六MOS管的源极分别连接所述第八MOS管的漏极、所述第八MOS管的栅极、所述基准源输出电路和所述启动电路；