[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

多个掺杂的硅部件，位于衬底上方；

多个接触部件，设置在所述多个掺杂的硅部件上方并且电耦接至所述多个掺杂的硅部件；

多个下部金属部件，设置在所述多个接触部件上方并且电耦接至所述多个接触部件；

多个上部金属部件，设置在所述多个下部金属部件上方并且电耦接至所述多个下部金属部件；

第一波导部件，设置在所述多个掺杂的硅部件中的两个邻近的掺杂的硅部件之间；以及

第二波导部件，设置在所述第一波导部件上方，其中，所述第二波导部件的顶面高于所述多个接触部件的顶面，使得所述第二波导部件设置在：

所述多个下部金属部件中的两个邻近的下部金属部件之间，以及

所述多个上部金属部件中的两个邻近的上部金属部件之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中，所述第一波导部件具有第一折射率，

其中，所述第二波导部件具有不同于所述第一折射率的第二折射率。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中，所述第一波导部件包括硅，

其中，所述第二波导部件包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中，所述第一波导部件包括第一非锥形部分和从所述第一非锥形部分延伸的第一锥形部分，

其中，所述第二波导部件包括第二非锥形部分、从所述第二非锥形部分延伸的第二锥形部分与从所述第二锥形部分延伸的尖端部分，并且

其中，所述尖端部分与所述第一波导部件的所述第一锥形部分重叠。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

多个通孔部件，设置在所述多个上部金属部件上方并且电耦接至所述多个上部金属部件，

其中，所述第一波导部件沿着第一方向纵向延伸，

其中，沿着垂直于所述第一方向的第二方向，所述多个通孔部件中的每个的宽度大于所述多个上部金属部件中的每个的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

硅化物层，设置在所述多个掺杂的硅部件和所述多个接触部件之间。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一波导部件和所述第二波导部件配置为在具有1310nm、1550nm或两者的波长的红外的情况下操作。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述多个接触部件中接触部件的厚度在350nm与380nm之间。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中，所述第二波导部件设置在多于一个介电层中，

其中，所述多于一个介电层包括氧化硅。

10.一种半导体结构，包括：

掩埋氧化物层；

第一介电层，设置在所述掩埋氧化物层上方；

第一波导部件，设置在所述第一介电层中；

第二介电层，设置在所述第一介电层和所述第一波导部件上方；

多个接触部件，设置在所述第二介电层中；

第三介电层，设置在所述第二介电层上方；以及

第二波导部件，设置在所述第二介电层和所述第三介电层中，

其中，所述第二波导部件的顶面高于所述多个接触部件的顶面，

其中，所述第二波导部件的部分与所述第一波导部件的部分在上下方向上垂直地重叠。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，还包括：

第一金属互连层，设置在所述第二介电层中，所述第一金属互连层包括第一接触部件和第二接触部件；以及

第二金属互连层，设置在所述第三介电层中，所述第二金属互连层包括第一金属部件和第二金属部件，

其中，所述第二波导部件设置在所述第一接触部件和所述第二接触部件之间以及所述第一金属部件和所述第二金属部件之间。