[发明专利]静电放电和过驱动保护电路

权利要求书

1.设备的输入/输出保护电路，包括：

第一晶体管，耦合在所述设备的输入/输出与所述设备的共模节点之间，所述共模节点被设置为所述设备的共模电压，其中当所述输入/输出上的电压超过第一阈值电压时，所述第一晶体管在所述输入/输出和所述共模节点之间传导电流；和

耦合在所述输入/输出和所述共模节点之间的第二晶体管，其中当所述输入/输出上的电压低于第二阈值电压时，所述第二晶体管在所述输入/输出和所述共模节点之间传导电流。

2.权利要求1所述的输入/输出保护电路，其中：

所述第一晶体管包括第一场效应晶体管(FET)或第一双极结型晶体管(BJT)；和

所述第二晶体管包括第二FET或第二BJT。

3.权利要求1所述的输入/输出保护电路，其中：

所述第一晶体管包括p沟道场效应晶体管(FET)；和

所述第二晶体管包括n沟道FET。

4.权利要求3所述的输入/输出保护电路，其中：

所述p沟道FET的源极耦合到所述输入/输出，并且所述p沟道FET的漏极耦合到所述共模节点；和

所述n沟道FET的源极耦合到所述输入/输出，并且所述n沟道FET的漏极耦合到所述共模节点。

5.权利要求1所述的输入/输出保护电路，其中：

所述第一晶体管将所述第一阈值电压施加到所述第一晶体管的栅极；和

所述第二晶体管将所述第二阈值电压施加到所述第二晶体管的栅极。

6.权利要求1所述的输入/输出保护电路，其中：

所述第一晶体管的背栅耦合到所述第二晶体管的背栅；

所述第一晶体管的第一二极管特征和所述第二晶体管的第一二极管特征是基于所述第一晶体管的背栅耦合到所述第二晶体管的背栅来提供用于正静电放电的静电放电保护；和

所述第一晶体管的第二二极管特征和所述第二晶体管的第二二极管特征是基于所述第一晶体管的背栅耦合到所述第二晶体管的背栅来提供用于负静电放电的静电放电保护。

7.权利要求6所述的输入/输出保护电路，其中：

所述第一晶体管和所述第二晶体管共享深的n阱；和

具有深的n阱的第一晶体管的n阱与具有深的n阱的第二晶体管的p阱的结形成所述第一晶体管的第一二极管特征、所述第二晶体管的第一二极管特征、所述第一晶体管的第二二极管特征和所述第二晶体管的第二二极管特征。

8.权利要求1所述的输入/输出保护电路，还包括：

第三晶体管，耦合到所述第一晶体管的栅极，并且所述第三晶体管耦合到所述输入/输出，其中当所述输入/输出上的电压超过所述第一阈值电压时，所述第三晶体管导通电流；和

第四晶体管，耦合到所述第二晶体管的栅极，并且所述第三晶体管耦合到所述输入/输出，其中当所述输入/输出上的电压低于所述第二阈值电压时，所述第四晶体管导通电流。

9.权利要求8所述的输入/输出保护电路，还包括：

第一电阻器，耦合在所述第三晶体管和要施加所述第一阈值电压的第一节点之间，其中所述第一电阻器还耦合在所述第一晶体管和所述第一节点之间，并且其中所述第一电阻器用于当所述第三晶体管导通电流时，从所述第一阈值电压产生第一电压降；和

第二电阻器，耦合在所述第四晶体管和要施加所述第二阈值电压的第二节点之间，其中所述第二电阻器还被耦合在所述第二晶体管和所述第二节点之间，并且其中所述第二电阻器用于当所述第四晶体管导通电流时，从所述第二阈值电压产生第二电压降。