[发明专利]一种基于DW-Tempotron算法的图像分类方法有效
申请号: | 202110676198.5 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113408612B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 李建平;苌泽宇;高源;肖飞 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G06V10/764 | 分类号: | G06V10/764;G06V10/82;G06N3/049;G06N3/063;G06N3/08 |
代理公司: | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人: | 李林合 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 dw tempotron 算法 图像 分类 方法 | ||
1.一种基于DW-Tempotron算法的图像分类方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、构建Tempotron算法;
S2、在Tempotron算法中的突触施加延迟,得到DW-Tempotron算法;其中DW-Tempotron算法中的LIF模型为:
其中V(t)为LIF模型突触后神经元膜电压;ωi为第i个突触的权重;K(·)为核函数,表示每个传入spike对突触后神经元膜电压所做出的贡献;t为期望点火时间,ti为第i个突触前神经元的spike输入时间;di为施加的延迟;Vrest为静息电位;τ为突触后膜积分时间常数;τs为突触电流衰减时间常数;V0为对膜电压标准化的因子;
S3、初始化DW-Tempotron算法的参数;初始化的参数包括输入脉冲时间、突触权重、点火阈值、延迟、学习率、突触后膜积分时间常数、突触电流衰减时间常数和迭代次数;
S4、分别获取当前DW-Tempotron算法中LIF模型的突触后神经元分别在+模式下的膜电压和-模式下的膜电压;
S5、判断当前+模式下的膜电压是否小于点火阈值,若是则更新延迟并重新计算+模式下的膜电压,进入步骤S6;否则进入步骤S7;
S6、判断当前+模式下的膜电压是否小于点火阈值,若是则更新突触权重,返回步骤S5;否则进入步骤S7;
S7、判断当前-模式下的膜电压是否大于点火阈值,若是则更新延迟并重新计算-模式下的膜电压,进入步骤S8;否则结束当前轮次的训练,进入步骤S9;
S8、判断当前-模式下的膜电压是否大于点火阈值,若是则更新突触权重,返回步骤S7;否则结束当前轮次的训练,进入步骤S9;
S9、判断训练轮次是否达到迭代次数,若是则采用当前DW-Tempotron算法进行图像分类;否则返回步骤S4。
2.根据权利要求1所述的基于DW-Tempotron算法的图像分类方法,其特征在于,步骤S5中更新延迟的具体方法为:
根据公式:
获取当前更新后的延迟其中表示当前更新前的延迟;为当前延迟调整值;为当前突触前神经元的spike输入时间;ψ=ττs(lnτ-lnτs)/(τ-τs);为当前突触权重。
3.根据权利要求1所述的基于DW-Tempotron算法的图像分类方法,其特征在于,步骤S6中更新突触权重的具体方法为:
根据公式:
获取DW-Tempotron算法中的突触权重更新值Δωi,并将更新值Δωi与当前的权重值相加,完成突触权重的更新;其中λ为常数且大于0;和均为突触后神经元膜电压达到最大值的时间,对应的膜电压大于点火阈值,对应的膜电压小于点火阈值。
4.根据权利要求1所述的基于DW-Tempotron算法的图像分类方法,其特征在于,步骤S7中更新延迟的具体方法为:
根据公式:
获取当前更新后的延迟其中表示当前更新前的延迟;为当前延迟调整值;为当前突触前神经元的spike输入时间;ψ=ττs(lnτ-lnτs)/(τ-τs);为当前突触权重。
5.根据权利要求1所述的基于DW-Tempotron算法的图像分类方法,其特征在于,步骤S8中更新突触权重的具体方法为:
根据公式:
获取DW-Tempotron算法中的突触权重更新值Δωi,并将更新值Δωi与当前的权重值相加,完成突触权重的更新;其中λ为常数且大于0;和均为突触后神经元膜电压达到最大值的时间,对应的膜电压大于点火阈值,对应的膜电压小于点火阈值。
6.根据权利要求1所述的基于DW-Tempotron算法的图像分类方法,其特征在于,DW-Tempotron算法的损失函数为:
其中C表示损失值;为突触后神经元膜电压达到最大值的时间,且对应的膜电压大于点火阈值;thr为点火阈值;η2为大于0的常数;为突触后神经元膜电压达到最大值的时间,且对应的膜电压小于点火阈值;η1为大于0的常数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110676198.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。