[发明专利]一种光控可逆疏水件及其制备方法

权利要求书

1.一种光控可逆疏水件，特征在于，包括：

衬底层；

过渡层，形成在所述衬底层的至少一个表面上；

多个微纳结构，以矩阵形式排列在所述过渡层的表面；以及

其中，每个所述微纳结构包括：

氧化钒部，具有氧化钒层，用于吸收光，形成在所述过渡层上并向远离所述衬底层的方向延伸；

光化学增强部，具有光化学增强层，用于增强对光的吸收，形成在所述氧化钒部的表面，并向远离所述衬底层的方向延伸。

2.根据权利要求1所述的光控可逆疏水件，其特征在于：

其中，所述微纳结构的外形呈圆柱状或方柱状，高度为1μm～10μm、间距为1μm～20μm，

所述氧化钒部的厚度为0.1μm～1μm，所述光化学增强部的厚度为0～2μm，

所述过渡层的材质为二氧化硅，厚度为80nm～120nm。

3.根据权利要求2所述的光控可逆疏水件，其特征在于：

其中，所述微纳结构的外形呈圆柱状，直径为2μm，间距为2μm。

4.根据权利要求1所述的光控可逆疏水件，其特征在于：

其中，所述微纳结构为方片状结构，尺寸为10μm～100μm、厚度为0.1μm～0.5μm。

5.根据权利要求1所述的光控可逆疏水件，其特征在于，还包括：

多个应力件，一一对应设置在所述微纳结构上，从所述氧化钒部的表面延伸至光化学增强部的表面，

所述应力件的材质为铬、铝或铂金，厚度为20nm～30nm。

6.一种光控可逆疏水件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、以清洁、干燥的硅片作为衬底层，

步骤2、通过化学气相沉积法、射频磁控溅射法或脉冲激光沉积法任意一种方法，在所述衬底层的上表面沉积一层过渡层；

步骤3、通过磁控溅射法、气相运输沉积法或脉冲激光沉积法任意一种方法，在所述过渡层的表面沉积一层氧化钒层；

步骤3、在所述氧化钒层的表面涂一层光化学增强层；

步骤4、对所述氧化钒层和光化学增强层进行蚀刻，形成阵列分布的微纳结构。