[发明专利]用于氮化物外延衬底的原位处理方法及衬底

权利要求书

1.一种用于氮化物外延衬底的原位处理方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底设于MOCVD反应室内；

生长氮化物薄膜：在第一预设温度下，向所述反应室内通入氢气、MO源和氨气，在所述衬底的第一表面上生长岛状的氮化物薄膜，当生长的氮化物薄膜达到第一预设厚度时，关闭MO源和氨气；

刻蚀氮化物薄膜：在第一预设时间内，将温度升高到第二预设温度，持续通入的氢气对所述氮化物薄膜的表面进行刻蚀，岛与岛结界处的氮化物分解；其中，所述第二预设温度高于所述第一预设温度；

循环进行所述生长氮化物薄膜和所述刻蚀氮化物薄膜的步骤，形成具有开孔的图形化掩膜层，具有所述图形化掩膜层的衬底用于生长氮化物外延材料。

2.如权利要求1所述的用于氮化物外延衬底的原位处理方法，其特征在于，生长的所述氮化物薄膜为GaN、AlN、BN、InN、AlGaN、InGaN、BGaN或BAlN中的一种或几种的组合。

3.如权利要求2所述的用于氮化物外延衬底的原位处理方法，其特征在于，所述第一预设厚度的范围为10nm-200nm。

4.如权利要求1所述的用于氮化物外延衬底的原位处理方法，其特征在于，所述第一预设温度为700℃-1200℃。

5.如权利要求4所述的用于氮化物外延衬底的原位处理方法，其特征在于，所述第二预设温度为1000℃-1600℃。

6.如权利要求5所述的用于氮化物外延衬底的原位处理方法，其特征在于，所述第一预设时间为1-20分钟。

7.如权利要求1所述的用于氮化物外延衬底的原位处理方法，其特征在于，所述图形化掩膜层的厚度为200nm-1000μm。

8.如权利要求1所述的用于氮化物外延衬底的原位处理方法，其特征在于，所述氮化物薄膜的生长压力范围为50mbar-500mbar。

9.如权利要求1所述的用于氮化物外延衬底的原位处理方法，其特征在于，所述氮化物外延的材料为GaN、AlN、BN、InN、AlGaN、InGaN、BGaN或BAlN中的一种或几种的组合。

10.一种用于氮化物外延材料的衬底，其特征在于，包括衬底本体和生长在所述衬底本体的第一表面的图形化掩膜层，所述图形化掩膜层采用权利要求1-9任一项所述的方法制备而成。