[发明专利]一种各向异性纳米晶钴基稀土永磁及其制备方法

权利要求书

1.一种各向异性纳米晶钴基稀土永磁的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

获得钴基稀土磁粉；

对所述钴基稀土磁粉进行热压，获得各向同性磁体；

对所述各向同性磁体进行热挤出，获得各向异性纳米晶钴基稀土永磁，所述热挤出的温度为600～900℃。

2.根据权利要求1所述的各向异性纳米晶钴基稀土永磁的制备方法，其特征在于，所述钴基稀土磁粉包括式RCo_a-xTM_x的合金，其中，R是至少一种稀土元素，TM是至少一种过渡族元素；a是3、5或7，0≤x≤0.3。

3.根据权利要求2所述的各向异性钴基纳米晶稀土永磁的制备方法，其特征在于，R选自Sm、Pr、La、Ce、Y中的一种或多种，TM选自Ni、Fe、Mn、Cr、Al、Sn、Ga、Ti、Zn、Zr、Mo、Ag、Cu中的一种或多种。

4.根据权利要求1-3任一项所述的各向异性纳米晶钴基稀土永磁的制备方法，其特征在于，所述钴基稀土磁粉通过配料、熔炼、快淬和/或高能球磨制备得到。

5.根据权利要求4所述的各向异性纳米晶钴基稀土永磁的制备方法，其特征在于，按照所述式RCo_a-xTM_x配料，且实际配R量为理论R耗量的1.03～1.10倍。

6.根据权利要求1-5任一项所述的各向异性纳米晶钴基稀土永磁的制备方法，其特征在于，所述热压的温度为500～700℃；和/或，所述热压的压力为400～1000MPa。

7.根据权利要求1-6任一项所述的各向异性纳米晶钴基稀土永磁的制备方法，其特征在于，所述热挤出的压力为50～500MPa；和/或，在真空条件下，进行所述热挤出。

8.根据权利要求1-7任一项所述的各向异性纳米晶钴基稀土永磁的制备方法，其特征在于，所述热挤出步骤中，上下压头为相同直径，下压头上设置有供物料挤出的通孔。

9.根据权利要求8所述的各向异性纳米晶钴基稀土永磁的制备方法，其特征在于，所述通孔的长宽比为至少4。

10.一种各向异性纳米晶钴基稀土永磁，其通过权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到。