[发明专利]溶液加工与真空蒸镀结合制备有机晶体薄膜的方法

权利要求书

1.溶液加工与真空蒸镀结合制备有机晶体薄膜的方法，其特征在于：首先采用溶液加工方法，原料为有机半导体溶液，在基板上制备高有序的有机晶体薄膜；然后，将基板移入真空室，以有机半导体材料为膜料进行真空蒸发镀膜，得到有机半导体晶体薄膜；

所述溶液加工方法是指浸渍提拉法、区域滴注法和溶液剪切法中的一种；

所述高有序的有机晶体薄膜是指条带状或者棒状的单一取向的有机晶体薄膜，薄膜内部存在间隙或不存在间隙；

所述有机晶体薄膜中条带状或者棒状的晶体厚度为2-20纳米厚度。

2.根据权利要求1所述的溶液加工与真空蒸镀结合制备有机晶体薄膜的方法，其特征在于：所述有机半导体溶液是指溶质为有机小分子的溶液，或者溶质为聚合物的溶液，或者溶质为有机小分子与聚合物的混合溶液。

3.根据权利要求2所述的溶液加工与真空蒸镀结合制备有机晶体薄膜的方法，其特征在于：所述有机半导体材料与有机半导体溶液中的溶质不相同、相同，或者为其中的一种。

4.根据权利要求2所述的溶液加工与真空蒸镀结合制备有机晶体薄膜的方法，其特征在于：所述有机小分子为一种或多种有机小分子材料，这些材料包括以下材料：C8-BTBT、C10-DNBDT、diF-TES-ADT、C10-DNTT、TIPS、TES-ADT、DPA、DTT-8、BP2T、Rubrene、6T、DH6T、Pentacene、6P、PTCBI、PTCDA、PTCDI、PTCDI-C5、PTCDI-C7、PTCDI-DPh、CuPc、F16CuPC、NTDA、NTDA-C6、DCyNTDA。

5.根据权利要求2所述的溶液加工与真空蒸镀结合制备有机晶体薄膜的方法，其特征在于：所述聚合物为一种或者多种聚合物，这些聚合物包括以下材料：F8T2、PBTTT-C12、PQT-12、PDQT、PVA、PMMA、PVP、PS、BCB、CYTOP。

6.根据权利要求1-5任一所述的方法制备的有机半导体晶体薄膜在用作有机晶体管的半导体活性层上的应用，其特征在于：该有机半导体晶体薄膜用作有机晶体管的半导体活性层时，所述有机晶体管的构成包括基板，栅极，溶液加工制备的有机晶体薄膜，真空蒸发制备的有机薄膜，源极和漏极。

7.根据权利要求1-5任一所述的方法制备的有机半导体晶体薄膜在用作有机晶体管的半导体活性层上的应用，其特征在于：该有机半导体晶体薄膜用作有机二极管的半导体活性层，所述有机二极管的构成包括基板，阳极，溶液加工制备的有机晶体薄膜，真空蒸发制备的有机薄膜I，真空蒸发制备的有机薄膜II和阴极。