[发明专利]用于氮化物外延材料的衬底预处理方法及外延材料在审
| 申请号： | 202110678123.0 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113628955A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 郭艳敏;尹甲运;李佳;王波;张志荣;芦伟立;高楠;房玉龙;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 外延 材料 衬底 预处理 方法 | ||
1.一种用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，其特征在于，在衬底上生长外延材料之前还包括以下步骤：
将所述衬底设置在反应室内、并将所述衬底升温至700℃-1600℃；
向反应室内通入MO源和载气，对衬底表面进行预处理，所述MO源为三甲基镓、三甲基铟或三乙基镓中的一种或多种；
达到预设时间后，停止通入所述MO源，在所述衬底上形成微粒层。
2.如权利要求1所述的用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅或碳化硅，在预处理的衬底表面生长外延材料。
3.如权利要求1所述的用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，其特征在于，所述MO源的流量范围为10μmol/min-1000μmol/min。
4.如权利要求3所述的用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，其特征在于，所述MO源的流量范围为100μmol/min-1000μmol/min。
5.如权利要求1所述的用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，其特征在于，所述衬底设于金属有机物化学气相沉积的反应室内，所述衬底升温至800℃-1100℃。
6.如权利要求1所述的用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，其特征在于，所述通入MO源的压力范围为50mbar-500mbar。
7.如权利要求1所述的用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，其特征在于，所述预设时间为1s-3600s。
8.如权利要求7所述的用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，其特征在于，所述预设时间为100s-1000s。
9.如权利要求1所述的用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，其特征在于，所述载气为氢气或氢气与氮气的混合气体。
10.一种氮化物外延材料，其特征在于，采用权利要求1所述的方法对衬底进行预处理，在经过预处理的所述衬底上外延生长有氮化物层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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