[发明专利]存储器器件及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

多个磁阻随机存取存储器单元，包括第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元；

第一一次性可编程选择晶体管，连接至所述第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元，所述第一一次性可编程选择晶体管被配置为选择性地向所述第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元施加击穿电流以将所述第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元写入成击穿状态。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多个磁阻随机存取存储器单元中的每个包括磁隧道结元件。

3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一一次性可编程选择晶体管包括并联连接的多个一次性可编程选择晶体管。

4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多个磁阻随机存取存储器单元包括第一磁阻随机存取存储器位单元，所述存储器器件还包括：

第一存储器单元选择晶体管，连接至所述第一磁阻随机存取存储器位单元，所述第一存储器单元选择晶体管被配置为选择性地向所述第一磁阻随机存取存储器位单元施加写电流，以将所述第一磁阻随机存取存储器位单元写入成平行状态或反平行状态，其中，所述击穿电流大于所述写电流。

5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多个磁阻随机存取存储器单元包括参考磁阻随机存取存储器单元，所述存储器器件还包括：

参考选择晶体管，连接至所述参考磁阻随机存取存储器单元，所述参考选择晶体管被配置为施加写电流以将所述参考磁阻随机存取存储器单元写入成平行状态。

6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多个磁阻随机存取存储器单元布置在第一阵列和第二阵列中，其中，所述第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元处于所述第一存储器阵列中，所述存储器器件还包括：

第二一次性可编程磁阻随机存取存储器单元，处于所述第二阵列中；

第二一次性可编程选择晶体管，连接至所述第二一次性可编程磁阻随机存取存储器单元，所述第二一次性可编程选择晶体管被配置为选择性地向所述第二一次性可编程磁阻随机存取存储器单元施加击穿电流，所述第二一次性可编程选择晶体管配置为选择性地向所述第二一次性可编程磁阻随机存取存储器单元施加所述击穿电流以将所述第二一次性可编程磁阻随机存取存储器单元写入成击穿状态。

7.根据权利要求6所述的存储器器件，还包括存储控制器，所述存储控制器被配置为向所述第一或第二一次性可编程选择晶体管中的一个施加控制信号，使得所述第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元被写入成所述击穿状态，并且所述第二一次性可编程磁阻随机存取存储器单元未被写入成所述击穿状态。

8.一种存储器器件，包括：

第一存储器阵列，包括：

多个第一磁阻随机存取存储器位单元，耦合至第一位线；

多个第一存储器单元选择晶体管，所述第一存储器单元选择晶体管中的每个耦合在所述第一磁阻随机存取存储器位单元中的对应一个与第一源极线之间，所述第一存储器单元选择晶体管中的每个具有耦合至对应存储器字线的栅极端子；

第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元，耦合至所述第一位线；

多个第一一次性可编程选择晶体管，并联耦合在所述第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元与所述第一源极线之间，所述第一一次性可编程选择晶体管中的每个具有耦合至第一一次性可编程字线的栅极端子。

9.根据权利要求8所述的存储器器件，其中：

所述第一存储器单元选择晶体管中的每个被配置为响应于在所述对应栅极端子处接收到的存储器字线信号而施加写电流以将所述对应第一磁阻随机存取存储器位单元写入成平行状态或反平行状态；

所述多个第一一次性可编程选择晶体管被配置为响应于在所述第一一次性可编程选择晶体管的所述栅极端子处接收到的一次性可编程字线信号而向所述第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元施加击穿电流以将所述第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元写入成击穿状态；

其中，所述击穿电流大于所述写电流。

10.一种操作存储器器件的方法，包括：

提供第一磁阻随机存取存储器单元阵列；

向所述第一磁阻随机存取存储器单元阵列中的多个第一磁阻随机存取存储器位单元施加第一写电流，以选择性地将所述第一磁阻随机存取存储器位单元写入成平行状态或反平行状态；

选择性地向所述第一磁阻随机存取存储器单元阵列中的第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元施加高于所述第一写电流的击穿电流，以将所述第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元写入成击穿状态。