[发明专利]半导体工艺设备及其混合进气装置

权利要求书

1.一种半导体工艺设备的混合进气装置，设置于所述半导体工艺设备的工艺腔室顶部，用于向工艺腔室内输入工艺气体，其特征在于，包括：混合进气块及盖体组件；

所述混合进气块内具有第一环形腔及多个进气通道，所述第一环形腔的顶部与多个所述进气通道连通，底部与所述盖体组件中的混气通道连通；多个所述进气通道均沿所述第一环形腔的切向延伸设置，并且多个所述进气通道的出气口沿所述第一环形腔的周向均匀分布；

所述盖体组件的顶部居中位置设置有所述混合进气块，所述盖体组件的底部盖合于所述工艺腔室顶部，所述盖体组件中设置有所述混气通道，用于将所述混合进气块内的工艺气体再次混合并匀流后输入所述工艺腔室内。

2.如权利要求1所述的混合进气装置，其特征在于，所述混合进气块内还具有混气腔，所述混气腔位于所述第一环形腔的底部，并且与所述第一环形腔同轴设置；所述混气腔的径向尺寸小于所述第一环形腔的径向尺寸，并且所述第一环形腔通过所述混气腔与所述盖体组件中的所述混气通道连通。

3.如权利要求2所述的混合进气装置，其特征在于，所述混合进气块内还具有第二环形腔，所述第二环形腔位于所述混气腔的底部，并且与所述混气腔同轴设置；所述第二环形腔的径向尺寸大于所述混气腔的径向尺寸，并且所述第一环形腔通过所述混气腔及所述第二环形腔与所述盖体组件中的所述混气通道连通。

4.如权利要求3所述的混合进气装置，其特征在于，所述第一环形腔底部的径向尺寸逐渐缩小，以与所述混气腔的顶部连通；所述第二环形腔顶部的径向尺寸逐渐缩小，以与所述混气腔的底部连通。

5.如权利要求1至4的任一所述的混合进气装置，其特征在于，所述盖体组件包括盖体及转接盘，所述盖体的底面开设有容置槽，所述转接盘设置于所述容置槽内，所述混气通道包括第一分气通道、第二分气通道及第三环形腔，所述第一分气通道设置于所述盖体内，所述容置槽的底面开设有环形槽，所述转接盘的顶面与所述容置槽底面贴合，与所述环形槽配合形成所述第三环形腔，所述第一分气通道的两端分别与所述混合进气块及第三环形腔连通，并且多个所述第一分气通道沿圆周方向均匀分布，所述第二分气通道设置于所述转接盘内，所述第二分气通道的两端分别与第三环形腔及所述工艺腔室连通，并且多个所述第二分气通道沿圆周方向均匀分布。

6.如权利要求5所述的混合进气装置，其特征在于，所述盖体组件还包括多个第一匀气筛，多个所述第一匀气筛设置于所述转接盘的底面上，呈环形分布，与多个所述第二分气通道一一对应，所述第二分气通道通过所述第一匀气筛与所述工艺腔室连通。

7.如权利要求6所述的混合进气装置，其特征在于，所述盖体组件还包括第二匀气筛，所述混气通道还包括第三分气通道，所述第三分气通道设置于所述转接盘内，并且沿圆周方向均匀分布，多个所述第三分气通道一端与所述第三环形腔连通，另一端通过所述第二匀气筛与所述工艺腔室连通，所述第二匀气筛位于呈环形分布的多个所述第一匀气筛的中心。

8.如权利要求7所述的混合进气装置，其特征在于，所述第一匀气筛呈长圆形，所述第二匀气筛呈正圆形，所述第一匀气筛及所述第二匀气筛中均设置有多个沿其自身径向延伸设置的出气通道。

9.如权利要求7所述的混合进气装置，其特征在于，所述第二分气通道的进气口位于所述第三环形腔靠近外缘的位置，所述第三分气通道的进气口位于所述第三环形腔靠近内缘的位置，并且多个所述第二分气通道及多个所述第三分气通道的进气口沿所述第三环形腔的周向交替排布。

10.如权利要求7所述的混合进气装置，其特征在于，所述第二分气通道的内径大于所述第三分气通道的内径。