[发明专利]一种监测熔体液面位置的方法、系统及计算机存储介质在审
申请号: | 202110679842.4 | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113403680A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 李昊 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/26 | 分类号: | C30B15/26;C30B29/06 |
代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 李斌栋;沈寒酉 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 监测 体液 位置 方法 系统 计算机 存储 介质 | ||
1.一种监测熔体液面位置的方法,其特征在于,所述方法应用于导流筒底部设置有L型石英柱的拉晶炉,其中,所述石英柱的底端竖直向下垂直于待测液面,且低于所述导流筒的最低点,所述方法包括:
从所述待测液面与所述石英柱底端接触开始,按照设定的单次下降距离多次下降所述待测液面后,获取所述待测液面和所述石英柱底端的距离与籽晶在所述待测液面上形成的亮环之间的像素间距离的对应关系;
在单晶硅棒生长过程中,获取所述单晶硅棒的尾端在熔体液面上形成的亮环之间的实测像素间距离;
基于所述实测像素间距离以及所述对应关系,确定所述熔体液面与所述石英柱的底端的实测距离;
基于所述实测距离与所述石英柱底端和所述导流筒的最低点的间距,获取所述熔体液面的实测位置。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述从所述待测液面与所述石英柱底端接触开始,按照设定的单次下降距离多次下降所述待测液面后,获取所述待测液面和所述石英柱底端的距离与籽晶在所述待测液面上形成的亮环之间的像素间距离的对应关系,包括:
从所述待测液面与所述石英柱底端接触开始,按照所述设定的单次下降距离L1多次下降所述待测液面,并在每次下降后获取所述待测液面与所述石英柱底端的距离Hi,其中,i为下降的次数;
每次所述待测液面下降后,下降籽晶与所述待测液面接触,并获取所述籽晶在所述待测液面上形成的亮环之间的像素间距离hi;
根据每次下降后所述待测液面与所述石英柱底端的距离Hi以及所述亮环之间的像素间距离hi,获取所述待测液面与所述石英柱底端的距离H和所述亮环之间的像素间距离h之间的对应关系K。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述从所述待测液面与所述石英柱底端接触开始,按照所述设定的单次下降距离L1多次下降所述待测液面,并在每次下降后获取所述待测液面与所述石英柱底端的距离Hi,包括:
当所述待测液面与所述石英柱底端恰好接触时,设置所述待测液面位置为零位位置;
当所述待测液面下降i次后,根据所述待测液面的下降次数i以及所述设定的单次下降距离L1,获取每次下降后所述待测液面与所述石英柱底端的距离Hi=i×L1。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述每次所述待测液面下降后,下降籽晶与所述待测液面接触,并获取所述籽晶在所述待测液面上形成的亮环之间的像素间距离hi,包括:
每次所述待测液面下降所述设定的单次下降距离L1后,通过下降籽晶与所述待测液面相接触,采集所述籽晶在所述待测液面上形成的亮环的像素;
根据采集的所述亮环的像素,获取所述亮环对应的拟合圆区域中心坐标(xi,yi);
根据所述亮环对应的拟合圆区域中心坐标(xi,yi),获取所述亮环之间的像素间距离其中,1≤i≤n。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据采集的所述亮环的像素,获取所述亮环对应的拟合圆区域中心坐标(xi,yi),包括:
当每次所述籽晶在所述待测液面上形成所述亮环后,利用工业相机采集所述亮环的像素;
根据采集的所述亮环的像素,拟合所述亮环对应的圆区域;
获取所述亮环对应的圆区域的中心坐标(xi,yi)。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据每次下降后所述待测液面与所述石英柱底端的距离Hi以及所述亮环之间的像素间距离hi,获取所述待测液面与所述石英柱底端的距离H和所述亮环之间的像素间距离h之间的对应关系K,包括:
所述待测液面总共下降n次后,根据式(1)获取所述待测液面与所述石英柱底端的距离H和所述亮环之间的像素间距离h之间的对应关系K:
其中,1≤i≤n。
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