[发明专利]一种保护芯片钝化前清洗制造工艺

权利要求书

1.一种保护芯片钝化前清洗制造工艺,其特征在于：包括以下步骤：

1)、沟槽腐蚀前处理；

2)、去除沟槽内氧化层；

3)、沟槽腐蚀：用氢氟酸硝酸冰乙酸水混合酸腐蚀沟槽，沟槽深度根据产品要求作业；

4)、去挂边：用超声清洗去除沟槽边缘氧化层；

5)、硝化酸清洗；

6)、硫酸双氧水清洗；

7)电泳玻璃：电泳玻璃粉，烧结；

8)引线孔光刻；

9)蒸发金属；

10)金属光刻；

11)测试。

2.根据权利要求1所述的一种保护芯片钝化前清洗制造工艺,其特征在于：所述步骤1)中具体处理方法为：将沟槽光刻完的产品放入120℃-140℃烘箱20分钟-30分钟。

3.根据权利要求1所述的一种保护芯片钝化前清洗制造工艺,其特征在于：所述步骤2)具体处理方法为：沟槽内的氧化层放入40℃-50℃BOE内腐蚀10分钟-16分钟，之后进行冲水。

4.根据权利要求1所述的一种保护芯片钝化前清洗制造工艺,其特征在于：所述步骤6)具体方法为：先配置硫酸：双氧水＝6：1，之后将混合溶液加热到120°-140℃；之后将产品清洗5分钟-8分钟；最后将产品冲水，甩干。

5.根据权利要求1所述的一种保护芯片钝化前清洗制造工艺,其特征在于：所述步骤4)中超声功率为800-1000W。