[发明专利]一种阵列基板及显示面板有效
申请号: | 202110680820.X | 申请日: | 2021-06-18 |
公开(公告)号: | CN113421888B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 金慧俊;简守甫;秦丹丹 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09F9/30 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 王荣 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 | ||
本申请公开了一种阵列基板及显示面板,其中,阵列基板的第一侧边框的宽度大于第二侧边框的宽度,位于非显示区的多个测试焊盘中的一部分排布于第一区域,剩余部分位于排布于第二区域,其中,第一区域远离上边框区且靠近第一侧边框,第二区域远离上边框区且靠近第二侧边框,这种设计方式扩宽了测试焊盘的可设置位置,从而增大了相邻测试焊盘在第一方向上的间距,降低了测试焊盘的设计难度,也降低了阵列基板在制备过程中相邻测试焊盘由于制备精度误差而导致的测试焊盘短路的概率,提高了显示面板的制备良率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,更具体地说,涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
为了满足不同应用场景的使用需求,出现了具有非对称边框的显示面板,参考图1,图1示出了该显示面板的俯视结构示意图,非对称边框主要是指显示面板的左边框和右边框的宽度不一致,即图1中的A1大于A2,右边框的宽度做的较小主要是为了满足折叠显示装置等具体应用场景的全面屏显示需求。
在如图1所示的显示面板中,宽度较小的边框,即右边框的宽度通常小于或等于0.5mm,由于宽度很小,给显示面板的设计和制备带来了很大难度,同时,传统的显示面板的结构设计中存在焊盘尺寸较大而导致的所占面积较大以及容易短路的问题。边框宽度小且焊盘尺寸大导致具有非对称边框的显示面板的制备良率很低。
发明内容
为解决上述技术问题,本申请提供了一种阵列基板及显示面板,以解决具有非对称边框的显示面板的制备良率较低的问题。
为实现上述技术目的,本申请实施例提供了如下技术方案:
一种阵列基板,包括:
衬底,所述衬底包括显示区和非显示区,所述非显示区围绕所述显示区,所述非显示区包括上边框区和分别位于所述显示区两侧的第一侧边框和第二侧边框,所述第一侧边框和所述第二侧边框分别位于所述显示区的第一方向两侧,所述上边框区位于所述显示区的第二方向一侧,所述第一侧边框的宽度大于所述第二侧边框的宽度,所述第一方向和所述第二方向交叉;
位于所述第一侧边框的第一驱动电路,所述第一驱动电路包括多个移位寄存器单元,多个所述移位寄存器单元沿所述显示区与所述第一侧边框相邻的一条边排布;
位于所述非显示区中的多个测试焊盘和多根信号线,所述测试焊盘与所述信号线一一对应;所述信号线和与所述信号线对应的测试焊盘电连接,且与所述第一驱动电路电连接,部分所述测试焊盘排布于第一区域,其他所述测试焊盘排布于第二区域,所述第一区域远离所述上边框区,且靠近所述第一侧边框,所述第二区域远离所述上边框区,且靠近所述第二侧边框。
一种显示面板,包括如上所述的阵列基板。
从上述技术方案可以看出,本申请实施例提供了一种阵列基板及显示面板,其中,阵列基板的第一侧边框的宽度大于第二侧边框的宽度,位于非显示区的多个测试焊盘中的一部分排布于第一区域,剩余部分位于排布于第二区域,其中,第一区域远离上边框区且靠近第一侧边框,第二区域远离上边框区且靠近第二侧边框,这种设计方式扩宽了测试焊盘的可设置位置,从而增大了相邻测试焊盘在第一方向上的间距,降低了测试焊盘的设计难度,也降低了阵列基板在制备过程中相邻测试焊盘由于制备精度误差而导致的测试焊盘短路的概率,提高了显示面板的制备良率。
同时,该阵列基板的焊盘排布方式还缩小了第一侧边框的尺寸,解决了阵列基板边框尺寸较大的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为具有非对称边框的显示面板的俯视结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的